专利名称：改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法专利类型：发明专利发明人：黄然,傅士栋
申请号：CN202011592563.6申请日：20201229公开号：CN112802797A公开日：20210514
摘要：本发明涉及改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在晶圆半径d1至边缘区域进行光刻BSE补偿工艺及接触孔刻蚀工艺的工艺整合方案，而晶圆半径0mm至d1区域的工艺不变，极大的提升了晶边工艺窗口；并提升了晶圆面内接触孔CD分布均匀性，特别是晶边Far Edge的部分，CD range从4nm改善至1.5nm以内，产品良率安全窗口扩大约50％，且边缘良率提升约1.0％。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：张彦敏
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