专利名称：基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：宋志成,郭辉,黄海栗,苗东铭,胡彦飞,张玉明申请号：CN201510030218.6申请日：20150121公开号：CN104638031A公开日：20150520
摘要：本发明公开了一种基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。其包括正电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、第一掺杂层(3)、第二掺杂层(4)、硅衬底(5)和背电极(6)。其中第一掺杂层和第二掺杂层为宽禁带GaN材料且相互接触形成PN结；第二掺杂层表面为GaN纳米线阵列结构，每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为2-6μm；该第一掺杂层和ITO氧化铟锡透明导电膜依次层叠在纳米线阵列结构表面，正电极设在纳米线阵列结构顶端。本发明具有良好的陷光效果，且能吸收从可见光到紫外光区的光子，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。
申请人：中电投西安太阳能电力有限公司
地址：710100 陕西省西安市航天基地东长安街589号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
代理人：王品华
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