形成具有电容器与通孔接触的半导体装置的方法[发明专利]

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专利名称：形成具有电容器与通孔接触的半导体装置的方法专利类型：发明专利发明人：K·Y·李,S·裴,T·郑申请号：CN2012103425.4申请日：20120914公开号：CN103000494A公开日：20130327

摘要：本申请是揭露形成具有电容器与通孔接触的半导体装置的方法。在一范例中，所述方法包含在绝缘材料层中，形成第一传导结构与电容器的底部电极，在所述第一传导结构与所述底部电极上方形成传导材料层，以及在所述传导材料层上执行蚀刻工艺，来定义传导材料硬掩模与所述电容器的顶部电极，其中所述传导材料硬掩模是位在所述第一传导结构的至少一部份上方。本示例方法更包含在所述传导材料硬掩模中形成开口，以及形成延伸穿过传导材料硬掩模中开口的第二传导结构，并且传导接触所述第一传导结构。

申请人：格罗方德半导体公司

地址：英属开曼群岛大开曼岛

国籍：KY

代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司

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