专利名称：动态校准磁传感器专利类型：发明专利
发明人：G·A·布里斯特,K·J·丹尼尔,M·A·科万申请号：CN201480009071.6申请日：20140310公开号：CN105209856A公开日：20151230
摘要：提供了一种计算设备、系统、装置，以及至少一种机器可读介质，用于动态地校准磁传感器。该计算设备包括传感器集线器以及通信地耦合于该传感器集线器的磁传感器。该磁传感器配置为收集与该计算设备相对应的传感器数据。该计算设备还包括处理器，配置为执行存储的指令，以及存储指令的存储装置。该存储装置包括处理器可执行代码，当由处理器执行时，配置为确定该计算设备的系统状态，并将该计算设备的所确定的系统状态发送给传感器集线器。该传感器集线器配置为基于经由该磁传感器收集的传感器数据以及该计算设备的所确定的系统状态来动态地校准该磁传感器。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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