您好,欢迎来到爱go旅游网。
搜索
您的当前位置:首页一种硫化镉量子点的制备方法

一种硫化镉量子点的制备方法

来源:爱go旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN201410191162.8 (22)申请日 2014.05.07 (71)申请人 吉林大学

地址 130012 吉林春市前进大街2699号

(10)申请公布号 CN103936058B

(43)申请公布日 2016.02.17

(72)发明人 解仁国;王硕;李冬泽;杨文胜

(74)专利代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司

代理人 王恩远

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

一种硫化镉量子点的制备方法

(57)摘要

本发明的一种硫化镉量子点的制备方

法属于半导体纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种全新方法制备尺寸可调,单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源,用(TMS) 法律状态

法律状态公告日

2014-07-23 2014-07-23 2014-08-20 2014-08-20

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效

法律状态公告日

2016-02-17 2016-02-17 2018-05-29

授权 授权

法律状态信息

授权 授权

法律状态

专利权的终止 专利权的终止

权利要求说明书

一种硫化镉量子点的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种硫化镉量子点的制备方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- igat.cn 版权所有 赣ICP备2024042791号-1

违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务