专利名称：半导体元件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：施江林,吴珮甄,张庆弘,丘世仰申请号：CN201910963664.0申请日：20191011公开号：CN111883507A公开日：20201103
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一晶粒、一第二晶粒、一第一重新分布层、一第二重新分布层、一第一互连结构以及一第二互连结构。该第二晶粒叠置在该第一晶粒上，该第一重新分布层配置在该第一晶粒的一第一基底与该第二晶粒的一第二层间介电层之间，且该第二重新分布层配置在该第二晶粒的一第二基底上。该第一互连结构将该第一重新分布层连接到该第一晶粒的多个第一金属线的其中一个，且该第二互连结构将该第二重新分布层连接到在该第二层间介电层中的多个第二金属线的其中一个。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾新北市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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