应用于闪存的双重侧壁[发明专利]

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专利名称：应用于闪存的双重侧壁专利类型：发明专利

发明人：吴佳特,李绍彬,邬瑞彬申请号：CN200710045072.8申请日：20070821公开号：CN101373772A公开日：20090225

摘要：本发明揭示了一种应用于闪存的双重侧壁，该双重侧壁包括第一离子增强氧化物层、氮化硅和第二等离子增强氧化物层；其中，应用于闪存单元阵列的双重侧壁中，在沉积层间电介质层时第二等离子增强氧化物层被移除；应用于闪存外围设备的二次阵列中，在外围设备的源极/漏极植入时，所有层都被保留，在沉积层间电介质层时，第二等离子增强氧化物层被移除。本发明还揭示了一种应用于闪存的双重侧壁的制程方法。本发明在闪存外围设备的源极/漏极植入时，侧壁是厚的，而进行层间电介质的沉积时，侧壁是薄的。这样既提高了外围高压电路的击穿电压，又使得闪存阵列在进行层间电介质填充时不会由于阵列过密而产生空洞。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：上海专利商标事务所有限公司

代理人：陆嘉

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