一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法[发明专利]

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专利名称：一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法专利类型：发明专利

发明人：李斌川,韩庆,孙敏,王飞,陈建设,刘奎仁申请号：CN201810785582.7申请日：20180717公开号：CN108529629A公开日：20180914

摘要：本发明涉及一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法，包括如下步骤：S1、将晶体硅切割废料、碳源、粘结剂和水混合得到待模压物料。S2、将待模压物料压制成型得到球团。S3、对球团干燥得到前驱体反应物。S4、将前驱体反应物置于反应炉中。S5、对反应炉通电，然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。S6、对碳化硅结晶块进行破碎和处理，得到β‑碳化硅粉。本发明中利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合，不仅解决了现有中晶体硅切割废料对环境的污染问题和资源浪费的问题，同时制备时反应温度较低，大大降低了能耗、节约成本，且最终制得的为单一晶型的β‑碳化硅。

申请人：东北大学

地址：110169 辽宁省沈阳市浑南区创新路195号

国籍：CN

代理机构：北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：韩国胜

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