ICP刻蚀工艺要点

一，选择题。

1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B）RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 18000 2、北微ICP本底真空和漏率指标为（A）时，设备能够正常工作 A 0—0.1mT <1mT/min B >2.5mT <2mT/min C 0.3-- 0.5mT <1.0mT/min D >0.5mT <2.5mT/min

3、NMC 刻蚀机当前SRF时间为（C）时，要求对设备进行开腔清洁

A 50H B 100H C 200H D 2000H 4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC) A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝 B:用N2吹干

C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗 5、ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程( ABCD )

A. 用DI水浸泡石英托盘20min B. 用DI水冲洗一遍 C. 用N2吹干

D．用IPA擦拭密封圈

6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程( ABC )

A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置 B．用手轻轻地取出石英盖

C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里 7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤( ABC ) A． 用小起子将铝盖轻轻翘开 B． 移开铝板

C． 用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里

二，填空题。

1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S 2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过 5.2Torr 会报警氦漏 3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM

4.在NMC工作中氮气的作用是 吹扫腔体 氦气的作用时 冷却晶片(托盘) 氧气的作用是 清洁腔室 三氯化硼的作用是 蚀刻晶片 5. 1 Torr = 133 P a

6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗 有机物 异丙醇的作用是清洗 丙酮

7.曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方，负胶 未被光照 地方，光刻胶被显影液反应掉

8.ICP的清洁没有做好会造成晶片 死区盲区 等缺陷

9.造成马赛克的因素有 晶片的平整度 ， 匀胶的均匀性 ， 曝光台的清洁度 10.NMC机台连续工作5小时需要做Dryclean

11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇 12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作 13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准

14.实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀 15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放

16.每蚀刻完一个RUN，抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员 17.拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差 18.每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站

19. 蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过0.2mm2 的不能蚀刻,收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗

20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止 三，判断题：

1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 2，Corial冷冻机里面装的是ACE ＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿( × ) 3，ICP石英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固＿＿＿＿＿＿＿＿（ √ ） 5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ √ ） 6，操作员可更改ICP生产程序＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 四，问答题：

1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。 答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶片上。

边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。

刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。

2．NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？

答:点击手动模式再点击托盘同步，在“设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为 托盘不存在，机械手臂为 托盘存在 托盘1,2,3,4,5的位置都设置为 托盘不存在 然后点击“与系统记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘，这样就可以进行接下来的操作了。

3.什么叫做选择比？如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um，要刻出高度约为1.55um的产品，那么理想的选择比应该是多少？

答：选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。要刻出高度为1.55um的晶片理想的选择比应该是0.62以上 选择比=1.55∕2.5=0.62

4.下图是一X简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。 参数 Pressure(mTorr) SRFPower(W) Stable1 3 0 Etch1 3 Stable2 3 Etch2 3 Stable3 1.5 Etch3 1.5 1900 flow 0 0 1900 0 1400 0 BRFPower HeliumPressure(Torr) GasBCL3(300sccm) Time(sec) SRFReflectPower(W) BRFReflectPower(W) C5SetPoint 0 4 80 20 50 50 40 200 4 80 600 0 50 50 40 0 4 80 10 0 50 50 40 200 4 80 600 0 50 50 40 0 4 40 10 0 50 50 40 700 4 40 450 0 50 50 40 0 4 0 60 1000 50 50 40 PenvlvPositionDelayTime 0 答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W)上电极加载功率，BRFPower

下电极加载功率，HeliumPressure(Torr)氦气压力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极反射功率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。 5．简述CORIAL ICP作业流程图

检查N2 、BCl3 、O2 、He压力，

PCW压力，温度等是否正常

系统开机

打开传输腔室

放置托盘

选择刻蚀程序

蚀刻作业

蚀刻结束，卸下晶片

6．简述CORIAL ICP装片工艺步骤

1． 装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片； 2． 用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖； 3． 将密封圈均匀内陷于铝板小槽中；

4． 石英托盘背面朝上，用真空吸笔吸取晶片背面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平

边对准托盘平边；

5． 将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；

6． 装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心

碰到晶片表面。

7. 简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图

DIW浸泡石英托盘

DIW冲洗 无尘布擦拭 N2吹干 IPA擦拭

8. 简述CORIAL ICP清洗反应室作业流程图

打开反应室

DI水清洗腔壁和石英窗口

IPA擦拭

用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条

放置真空密封橡皮条

安装石英细管

关闭反应室

9．简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程 A. 用DI水浸泡石英托盘20min； B. 用DI水冲洗一遍； C. 用N2吹干； D．用IPA擦拭；

E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。

10. 简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤

A. 进入状态，选择； B. 点击显示步骤，再点击；

C. 等待结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打开反应室；

D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上IPA擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；

E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；

F. 在状态，选择，将< Current Run Counter> 清零，自动加1；

G. 结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击退出maintenance mode,，等机台进入vacuum ready状态，拧紧反应室上的螺丝.。 11. 简述ELEDE ICP作业流程图

检查N2 、BCl3 、O2 、He压力，

PCW压力，Chiller温度等

系统开机, 启动上下位机控制程序

打开传输腔室

放置石英托盘

抽真空

蚀刻作业

蚀刻结束，卸下晶片

12. 简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程

A. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）；

B. 用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图），以边缘均匀盖住

密封圈为准（除平边）,如左下图（不含石英盖）所示；

C. 放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封

圈为准（除平边），如右下图（含石英盖）所示；

D. 拧上螺丝（注意不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；

E. 用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检查； F. 检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；

G. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上； H. 将装载托盘轻放至片盒上。

13. 简述ELEDE ICP蚀刻作业操作

1， 打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒； 2， 点击<配方>，打开<工艺配方>，检查所选配方的工艺参数；

3， 点击<片盒配方>，打开所选的片盒配方；若没有要选择的配方，则新建一个； 4， 点击<主界面>，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击<开始工艺>； 5， 待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下晶片； 14. 简述ELEDE ICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图

螺丝超声波振动 DIW浸泡石英盖、铝盘

DIW冲洗 N2吹干 用无尘布擦拭

N2吹干

IPA擦拭

15. 简述ELEDE ICP清洗反应室作业流程图

打开反应室

取出石英件、陶瓷件、铝件、密封圈

用DI水擦拭石英件、陶瓷件、铝件、密

封圈

用IPA擦拭石英件、陶瓷件、铝件、密

封圈

安装反应室零部件

关闭反应室 16. 简述ELEDE ICP螺丝清洗标准作业流程

A．把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min ； B．用N2把螺丝吹干

17. 简述ELEDE ICP清洗反应室方法及步骤

A. 进入[维护/工艺模块]，在[腔室操作]中点击[吹扫],至少吹扫100次； B. 吹扫完毕后，点击[吹大气]，进行腔室破真空动作； C. 按照正确的流程打开反应室；

D. 移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；

E. 先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不到残余物的颜色为止；

F. 按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是真空测量孔； G．手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针； H．用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面； I. 按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环等）；

J．安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）； K．关闭反应室； L．恢复反应室状态

18. 简述SLR ICP作业流程图

19. 简述SLR ICP装晶片标准操作流程

A:用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；

B:判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔分别为左右两孔；

C:用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位置； D:把螺丝放在盖子的小孔里；

E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，小心地放在底盘上；

F:用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对均匀地稍微拧紧；

G:用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。 20. 简述SLR ICP清洗托盘、螺丝作业流程图

21. 简述SLR ICP清洗反应室作业流程图

22. 简述SLR ICP反应室清洗步骤

A:打开反应室（同时按住2个上升开关 向右推开腔体 ） B:用DI水清洗反应室（包括底座、腔壁、夹具） C:用吸尘器吸走遗留的尘埃和水分子 D:用异丙醇清洗反应室

E:用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再用无尘布擦均匀 F:放置真空密封橡皮条（对角放置 压平整）

G:关闭反应室（向左推腔体回原位 同时按住2个下降开关） 23. 简述本工站的详细工作流程、操作规X及注意事项。