(12)发明专利申请
(21)申请号 CN2014101732.8 (22)申请日 2014.04.29
(71)申请人 中国人民国防科学技术大学
地址 410073 湖南沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民国防科学技术大学
(10)申请公布号 CN103956539A
(43)申请公布日 2014.07.30
计算机学院微电子与微处理器研究所
(72)发明人 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 (74)专利代理机构 湖南兆弘专利事务所
代理人 周长清
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
一种超低损耗的高频信号移相处理器件
(57)摘要
本发明公开了一种超低损耗的高频信号移
相处理器件,其包括衬底、电介质薄膜及导体,所述电介质薄膜设置于衬底上,所述导体设置于电介质薄膜上,所述导体为超导材料制成。本发明具有结构简单紧凑、制作方便、可降低高频应用下移相器传输线导体损耗、实现低损耗高频信号传输等优点。
法律状态
法律状态公告日
2014-07-30 2014-08-27 2017-01-11
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种超低损耗的高频信号移相处理器件的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
一种超低损耗的高频信号移相处理器件的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- igat.cn 版权所有 赣ICP备2024042791号-1
违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务