专利名称：衬底制造方法专利类型：发明专利发明人：田中敦之,河口大祐申请号：CN201880055845.7申请日：20180627公开号：CN111065765A公开日：20200424
摘要：本发明提供一种与衬底制造方法相关的技术。衬底制造方法具有照射工序，从与氮化镓的(GaN)晶锭的表面大致垂直的方向向晶锭的内部照射激光，来形成析出了镓且与晶锭的表面大致平行的改性层。衬底制造方法具有分离工序，通过溶解改性层，从而以形成了改性层的位置作为边界来使晶锭相互分离。
申请人：国立大学法人名古屋大学,浜松光子学株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
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