衬底制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：衬底制造方法专利类型：发明专利

发明人：李光雄,陈全胜,尤金·A·菲茨杰拉德,K·李永坚申请号：CN201580037075.X申请日：20150706公开号：CN107004639A公开日：20170801

摘要：公开了一种衬底(270)制造方法(200)。该方法包括：提供(202)第一半导体衬底(250)，该衬底包括已至少部分处理的CMOS器件层以及第一晶片材料层；将承载衬底键合(204)至所述已部分处理的CMOS器件层，并去除(206)所述第一晶片材料层；提供第二半导体衬底，该衬底具有不同于硅的第二晶片材料层；通过将所述第二晶片材料层键合至所述已部分处理的CMOS器件层而将所述第一和第二半导体衬底键合(208)，以形成结合衬底(268)；以及将所述承载衬底从所述结合衬底移除(210)，以暴露所述已部分处理的CMOS器件层的至少一部分。

申请人：麻省理工学院,南洋理工大学

地址：美国马萨诸塞州

国籍：US

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：智云

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