专利名称：互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：李志成,李凯霖,颜翊哲申请号：CN201710669736.1申请日：20170808公开号：CN109390338A公开日：20190226
摘要：本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法。该互补式金属氧化物半导体元件包含多个主动区，沿着第一方向延伸，并沿着第一方向排列在基底上，彼此由绝缘结构区隔开，其中位于相邻主动区相邻末端之间的绝缘结构包含一凹陷区域，该凹陷区域被一包含应力的层间介电层填满。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：TW
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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