一种BCD工艺下的ESD器件结构[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种BCD工艺下的ESD器件结构专利类型：发明专利

发明人：陈宏冰,陈忠志,曾珂,徐敏申请号：CN201210170175.8申请日：20120529公开号：CN103456730A公开日：20131218

摘要：本发明的目的在于公开一种BCD工艺下的ESD器件结构，它包括ESD NMOS单元，所述ESD NMOS单元上设置有P型有源注入区和N型有源注入区，所述P型有源注入区上连接有VSS端，所述N型有源注入区上连接有源极端或者漏极端，所述漏极端的N型有源注入区之间通过N阱扩散区连接，N阱扩散区的一端为输入压焊点的接入端口，N阱扩散区的另一端为ESD NMOS单元的漏极端，所述源极端与所述漏极端之间设置有栅极端；与现有的技术相比，采用圆形器件结构，在漏端引入N阱silicide（硅化）引起的表面ESD电流集中，有效进行ESD（静电放电）功率耗散，提高了器件ESD（静电放电）电流泄放能力，同时更高的面积利用率降低了产品制造成本，实现本发明的目的。

申请人：上海腾怡半导体有限公司

地址：201206 上海市浦东新区金粤路202号1幢3楼

国籍：CN

代理机构：上海精晟知识产权代理有限公司

代理人：马家骏

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