专利名称：暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的
制备方法
专利类型：发明专利
发明人：吴银素,郭琳琳,刘肖肖申请号：CN201410260220.8申请日：20140612公开号：CN104016413A公开日：20140903
摘要：本发明公开了一种暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的制备方法。在室温条件下，向0.02mmol高锰酸钾溶液中滴加0.02mmol醛类物质，反应物摩尔比为1:1，滴加完毕后继续搅拌12-24h，抽滤、水洗、无水乙醇洗，所得产品于马弗炉500℃-600℃焙烧4-6h，得到暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料。该方法设备简单，成本低廉，无环境污染，反应条件温和，易于大规模生产。所制备的催化剂材料对邻二甲苯表现出较好的低温活性，可在200℃-230℃时，将邻二甲苯完全转化为CO和HO。该类材料还可以在吸附、催化、分子筛和电极材料等领域具有重要的应用价值。
申请人：河北师范大学
地址：050024 河北省石家庄市南二环东路20号
国籍：CN
代理机构：石家庄新世纪专利商标事务所有限公司
代理人：董金国
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