一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用[发明专利]

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专利名称：一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用专利类型：发明专利发明人：王霞,李培刚,唐为华申请号：CN201811487166.5申请日：20181206公开号：CN109755336A公开日：20190514

摘要：本发明涉及一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用。所述掺杂碳的氧化镓薄膜中所掺杂的碳与氧化镓的分子比为0.05％‑5％。具体的，将石墨片研磨成粉与氧化镓粉末混合后压制成陶瓷靶材，通过磁控溅射的方法，在衬底温度为550‑750℃的生长条件下，制备氧化镓薄膜。本发明通过碳元素掺杂，提高氧化镓薄膜的导电性能，且薄膜能够保持很好的光电响应性能。本发明可实现工业化生产，操作步骤简单、成本低廉，靶材重复利用率高，制备的薄膜结晶性好、厚度稳定均一、重复性好。

申请人：北京镓族科技有限公司

地址：101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号

国籍：CN

代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司

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