专利名称：一种量测宽度的方法专利类型：发明专利发明人：刘智敏
申请号：CN201410400727.9申请日：20140814公开号：CN104167375A公开日：20141126
摘要：本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法，该方法应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，首先在EBR/WEE交界区域选取若干厚度量测点，然后对这些厚度量测点进行测量，由第一个厚度达到正常值的位置坐标计算出该量测点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在所选区域的量测值。该方法操作简单，操作性低，两侧结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：吴俊
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