专利名称：集成芯片及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：陈侠威,朱文定,廖钰文申请号：CN201911006557.5申请日：20191022公开号：CN111092153A公开日：20200501
摘要：本申请的各个实施例针对集成芯片，该集成芯片包括由无空隙介电结构分隔开的存储器单元。在一些实施例中，在通孔介电层上形成一对存储器单元结构，其中存储器单元结构由单元间区域分隔开。形成覆盖存储器单元结构和通孔介电层的单元间填充层，并且单元间填充层还填充单元间区域。使单元间填充层凹陷，直到单元间填充层的顶面低于该对存储器单元结构的顶面，并且部分地清除单元间区域。形成覆盖存储器单元结构和单元间填充层的互连介电层，互连介电层还填充单元间区域的清除部分。本发明的实施例还涉及集成芯片的形成方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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