一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法[发明专利]

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专利名称：一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法专利类型：发明专利发明人：强蕾,裴艳丽,王钢申请号：CN201710571427.0申请日：20170713公开号：CN1074777A公开日：20171215

摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，属于半导体器件技术领域。一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，其中包括半导体和栅绝缘层界面陷阱态的提取以及半导体体内陷阱态的提取。本发明主要包括以下步骤：1）给氧化物半导体薄膜晶体管施加不同时长的正向偏压应力，测试相应的转移特性曲线；2）基于转移特性的变化规律，分析阈值电压漂移机制，确定阈值电压漂移随时间的变化关系式；3）如果阈值电压漂移与所加应力时间满足扩展指数模型，提取半导体体内陷阱态的特征温度；4）利用亚阈值摆幅和陷阱态的关系，提取半导体和栅绝缘层界面态密度以及半导体体内陷阱态密度。本发明提供的陷阱态密度提取方法能同时提取薄膜晶体管界面陷阱态及体内陷阱态，计算过程较已有的方法更简单，条件少，适用范围广。

申请人：中山大学

地址：510275 广东省广州市新港西路135号

国籍：CN

代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：陈伟斌

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