专利名称：外延GaN的串联式PIN结构β辐照电池及其制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：郭辉,翟华星,张艺蒙,宋庆文,张玉明申请号：CN201410300661.6申请日：20140629公开号：CN104064244A公开日：20140924
摘要：本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构β辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层、P型GaN外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个填满β放射源的沟槽；两个PIN结的外延层欧姆接触电极相接，使上下沟槽镜像对称且相互贯通。本发明具有放射源利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可用于微纳机电系统等电路的供电。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
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