IC 工艺名词解释

Accounting

影响工厂成本的主要因素有哪些？

答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用 在FAB内，间接物料指哪些？

答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片) Control Wafer 控片 Test Wafe r测试,实验用的蕊片

什幺是变动成本(Variable Cost)?

答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料 什幺是固定成本(Fixed Cost)?

答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧 Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?

答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大. 生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?

答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下: (1) 积存在生产线上的在制品愈少 (2) 生产材料积存愈少 (3) 节省管理成本 (4) 产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉

FAC

根据工艺需求排气分几个系统?

答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent） 四个系统。

高架 地板分有孔和无孔作用?

答：使循环空气能流通 ，不起尘，保证洁净房内的洁净度; 防静电；便于HOOK-UP。 离子发射系统作用

答：离子发射系统，防止静电 SMIC洁净等级区域划分

答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工艺真空系统(PV)

答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行 什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用

答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。 House Vacuum System 作用

答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。

Filter Fan Unit System(FFU)作用

答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。 什幺是Clean Room 洁净室系统

答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。 Clean room spec:标准

答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责

答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）

工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：

答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。 若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报

答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222） 机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报 答：通知厂务主系统水课的值班（19105）

废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?

答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS) 若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题?

答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。 公司做水回收的意义如何?

答：(1) 节约用水，降低成本。重在环保。 (2) 符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生。

何种气体归类为特气(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2

何种气体由VMB Stick点供到机台? 答：H2

何种气体有自燃性? 答：SiH4

何种气体具有腐蚀性? 答：ClF3

当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器? 答：PH3

名词解释 GC, VMB, VMP

答：GC- Gas Cabinet 气瓶柜VMB- Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP- Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。

标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？ 答：21%19%

什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？

答：LEL- Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL- 4%.

当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？

答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。 化学供应系统中的化学物质特性为何?

答：(1) Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2) Solvent有机溶剂(3) Slurry研磨液 有机溶剂柜的安用保护装置为何?

答：(1) Gas/Temp. detector;气体/温度侦测器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器

中芯有那几类研磨液(slurry)系统?

答：(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭 设备机台总电源是几伏特? 答：208V OR 380V

欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无使用延长线吗? 答：不可以 如何选用电器器材?

答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌 机台开关可以任意分/合吗?

答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.

欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无使用延长线,对吗? 答：对

假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况? 答：断路器跳闸

当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?

答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所 MFG 什幺是WPH?

答：WPH(wafer per hour) 机台每小时之芯片产出量 如何衡量 WPH ?

答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快 什幺是 Move?

答：芯片的制程步骤移动数量. 什幺是 Stage Move?

答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move 什幺是Step Move?

答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move. Stage 和 step 的关系?

答：同一制程目的的step合起来称为一个stage; 例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step AMHS名词解释?

答：Automation Material Handling System; 生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送 SMIF名词解释?

答：Standard Mechanic InterFace (确保芯片在操作过程中; 不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面) 所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等; 为什幺SMIF可以节省厂务的成本?

答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为\"包货包机台不包人\";对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳 为什幺SMIF可以提高产品的良率?

答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中 Non-SMIF名词解释

答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的

SMIF FOUP名词解释?

答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名词解释?

答：Manfaucture Execution System; 即制造执行系统; 该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1) 每一类产品的生产step内容/规格/(2) 生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3) 每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4) 每一产品批现在与未来要执行的step等资料 EAP名词解释?

答：(1) Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2) 一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业 EAP的好处

答：(1) 减少人为误操作 (2) 改善生产作业的生产力 (3) 改善产品的良率 为什幺EAP可以减少人为操作的错误

答：(1) 避免机台RUN错货 (2) 避免RUN错机台程序 为什幺EAP可以改善机台的生产力?

答：(1) 機台可以自動Download程式不需人為操作 (2) 系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤 (3) 系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤 为什幺EAP可以改善产品的良率?

答：(1) 在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数 (2) 当机台alarm时,可以自动hold 住货 (3) 当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货 GUI名词解释?

答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user可以方便执行 EUI名词解释?功能是什麼?

答：EAP User Interface; 机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀態及貨在機台內的情形

SORTER 分片机的功能?

答：可对晶舟内的wafer(1) 进行读刻号(2) 可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3) 依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4) 执行不同晶舟内wafer的合并(5) 将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内 OHS名词解释?

答：Over Head Shuttle of AMHS (在AMHS轨道上传送FOUP的小车) FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）

答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨 Wafer Scrap规定?

答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单”

Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施? 答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定） TERMINATE规定？

答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终

止制程，称之为TERMINATE

WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施? 答：TERMINATE

FAB疏散演练规定一年需执行几次?

答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。

何时应该填机台留言单及生产管理留言单？

答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时

填写完成的机台临时留言单应置放于那里?

答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上 机台临时留言单过期后应如何处理?

答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。 生产管理留言单的有效期限是多久? 答：三个月

何时该填写芯片留言单？

答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单 芯片留言单的有效期限是多久? 答：三个月

填写完成的芯片留言单应置放于何处? 答：FOUP 上之套子内

芯片留言单需何人签名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何谓Hold Lot?

答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货 PN（Production Note，制造通报）的目的?

答：(1) 为公布FAB内生产管理的条例。(2) 阐述不清楚和不完善的操作规则。 PN的范围?

答：(1) 强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2) 更新制造通报内容(3) 请生产线协助搜集数据(4) O.I.未规定或未, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序 何谓MONITOR?

答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等 机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?

答：Tempory Engineering Change Notice （TECN，暂时工程变更） 暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上? 答：Production Note（PN，制造通知）

新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上? 答：Tempory Engineering Change Notice （TECN，暂时工程变更） 控片的目的是什幺?(Control wafer)

答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。 挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?

答：用途有2种：(1) 暖机 (2) 补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN

数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…; High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的 Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?

答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片 機台狀態的作用?

答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況 機台狀態可分為那兩大類? 答：(1) UP(2) Down

机台状态定义为availabe可用的状态有那些?

答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片 机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些?

答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT

在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG

在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS? 答：TEST

若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS? 答：DOWN

线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG

线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG

工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG

年度维修时应挂何种STATUS? 答：OFF

Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS? 答：HOLD_MFG

制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG

因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG

MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS? 答：CIM

因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS? 答：FAC

生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為? 答：FAC

生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何? 答：CIM

机台状态EQ status定义的真正用意何在?

答：(1) 机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2) 责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等 什幺是 T/R?

答：Turn Ratio, 芯片之移动速度; 即1天内移动了几个制程stage 如何衡量 T/R ?

答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1. T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程. 什幺是 EAR ?

答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义 EAR 之目的为何 ?

答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善 什幺是 MO ?

答：MO (Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失. MO 有何之可能影响?

答：(1) 产品制程重做(REWORK)。(2) 产品报废。(3) 客户要求退还产品，并要求赔偿. 如何防止 MO 之产生 ? 答：依工作准则作业. 什幺是 Waferout ?

答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片. 什幺是 clean room (洁净室)? 答：指空气中浮尘被隔离之操作空间 为何要有 clean room ?

答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质 clean room 有何等级 ?

答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1) 则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000. FOUP回收清洗流程?

答：(1) 线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2) 下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3) Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测) 。(4) 拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5) 拆下FOUP 放置Cleaner清洗。 FOUP回收清洗时间?

答：回收清洗时间为每三个月一次. 然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。

FOUP各部门领用流程?

答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套 领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可

FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?

答：(1) 制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2) 制造通报涉及工程（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。

FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?

答：(1) 通报被取消则此通报将视为无效.(2) 通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3) 通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4) 至截止期后通报将自动失效. FAB 制造通报(Production Notice)管理?

答：(1) 如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2) 通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述 (3) 制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回Key-in Center 以避免被错误使用(4) 通报应盖上Key-in center 有效公章.

WHAT’S \"Bank In\"?

答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。 WHAT’S \"Bank Out\"?

答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。 WHAT’S ’Bank Period\"?

答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间 Bank 适用时机?

答：(1) 客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2) 新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。(3) 经WAT检查后，有问题之Wafer。(4) 经QE检查后，有问题之Wafer。(5) FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6) 特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?

答：(1) 各部门申请的Bank有一定数量，依制造部与各部门讨论而定(2) PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理 Bank period规定?

答：(1) PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2) Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。(3) Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。 FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?

答：(1) 放在指定的暂存货架上。(2) 放在机台旁的待Run Wip货架上(3) Stocker內 为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？ 答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。 为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?

答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。 何谓Bullet lot?

答：(1) 就是优先权最高的lot (priority 1); (2) lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的. Bullet Lot Management Rule?

答：(1) Priority 皆为1(2) 面交下一站，不得用AMHS System传送。(3) 需提前通知下一站备妥机台。(4) 有工程问题工程部必须优先解决此种lot 列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义

答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义\"子弹般快的lot\";此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot (依MFG/MPC 定义而定;通常为试ru

n货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面) 将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义?

答：生产线上众多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级 什幺是RF ID?

答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES沟通了解当站该RUN那一种程序

什幺是stocker?

答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)

为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？ 答：(1) Stocker已滿(2) 不能讀取RF ID 什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?

答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。 当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？

答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。

Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？

答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER

GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？

答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID， 何谓Bank Lot?

答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货 何谓future hold?

答：MES 上的一个功能; 对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold

生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置? 答：Stocker 与机台

HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处? 答：放置在指定之HOLD LOT货架上 工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处? 答：放置在工程师芯片专用货架上 待run产品 ,必须放在何处?

答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上） Fab通常如何定义产品的复杂度?

答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂

假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7

假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer (每一photo layer的cycle time)是多少? 答：22天/20=1.1 Signal Tower 的功能为何?

答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率 Signal Tower有那几种灯号颜色? 答：红/黄/绿三种颜色

Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台的主要功能当掉讯息出现时

Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义? 答：机台有任何Alarm的讯息出现时

Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货 Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?

答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR; move in request)

Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?

答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR; move Out request) 光罩产品有哪两种材料组成?

答：(1) BLANK;玻璃主体;使得光容易透过 (2) PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响

简单分类光罩可分为哪两种？

答：Binary光罩(一般光罩) & PSM光罩(相位移光罩); PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？ 答：I-line (365光源用) DUV（248光源用） I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?

答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦 DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机? 答：可以

光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补? 答：不能

PELLICLE毁损能否修补?

答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE 何谓cycle time,周期时间?

答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)

cycle time 周期时间是由那些时间所构成

答：(1) Process time 所有步骤的制程时间总和 (2) waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空 (3) hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间 如何降低cycle time 周期时间?

答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助

如何减少process time 总和?

答：(1) 由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2) 由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难) 如何减少waiting time总和?

答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1) 加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2) 改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3) 改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4) 检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆 如何减少hold time 总和?

答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手

如何简单地评定一个代工厂的能力?

答：(1) 良率维持在稳定的高点(2) 周期时间cycle tiem愈短愈好(3) 製造成本愈低愈好 工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)

答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳 工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)

答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越好 控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)

答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。 何谓OI?

答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分 何谓Discipline

答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。 如何看制造部的纪律好不好?

答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！ 如何看整个FAB纪律好不好?

答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。 公司的企业文化为何?

答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action） 那些是对外不可说的事?

答：(1) 产品良率(Yield)(2) 订单数量(3) 客户名字(4) 公司组织(5) 主管手机号码(6) 公司人数(7) 其它厂商Vendor的资料(8) 生产线的机台台数及种类。 那些是对外不可做的事?

答：(1) 与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2) 收佣金,有价证券(3) 收受礼物 (礼物价值>15RMB )(4) 接受招待旅游(5) 出入不正当场所 Fab4的工作精神为何?

答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何谓Ownership?

答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善; 把事情做好而不是把事情做完

何谓Hands On ?

答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌 何谓Call for help ?

答：请求支持; 任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事

为什幺沟通时必须使用\"精准\"的字眼?,避免使用\"好象\\"可能\";\"大概\" ,\"差不多\" 等模糊字眼

答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚

为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR (action request),然后再讲问题发生的原因? 答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可

为什幺会议中要避免某些人\"开小会\"(小组自行讨论)的现象?

答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间 为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?

答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信 什幺是6S运动?

答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准 整理与整顿的意含差异?

答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作 清扫与清洁的意含差异?

答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果 6S运动推广重点区域?

答：办公区与洁净室是两大重点

为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔? 答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破 为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板? 答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板 无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?

答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒 无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?

答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位 无尘室中的最大发尘源为何? 答：无尘室中走动的人

那些会发尘的物品不得带入无尘室?

答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等 无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室? 答：请以无尘纸影印人后带入 可在无尘室中做地板切割作业?

答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业 可在无尘室中做地板钻孔作业?

答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业) 货架不能挡住那些紧急设施?

答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO) 手套上写字记事情,为什幺违反6S规定? 答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源

口罩必须如何戴才不违反6S规定?

答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子

制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响?

答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置

如何从自身执行公司的机密文件管制?

答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。 办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律

办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律

办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律

有办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律

下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿

桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿

何谓OCAP?

答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策

制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?

答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题

工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?

答：制造部MA通知必须Follow的OCAP ; 必须依流程判断LOT或机台有工程间题 什幺是OOS?

答：out of spec;制程结果超出允收规格 什幺是OOC?

答：out of control; 制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题

发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?

答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中 Fab内的灭火器为那一类? 答：CO2 类

为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器? 答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌 如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?

答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾 无尘室的正下方我们称为什幺? 答：sub-fab

Sub-fab的功能主要为何?

答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来 Fab内的空气和外界进行交换的比例为何? 答：约20%~25%

Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何? 答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏) PHOTO 区如何消除静电效应

答：(1) 机台接地(2) 使用导电或防静电的材质(3) 使用静电消除装置 PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?

答：(1) 天花板(2) 机台scanner上方 (3) Stocker内 静电效应主要造成那些破坏?

答：(1) 使得wafer表面易吸附particle (2) 堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏

何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?

答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方 遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器

答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理

为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)

答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的

PHOTO区域若发生miss operaton ; 可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗? 答：错! 重做多次将影响良率

PEL-STEL(short term exposure limit) 短时间(15分钟)时量平均容许浓度

答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。

PEL-Ceiling最高容许浓度：

答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。 LEL & UEL (Lower(Upper) Explosion Limit)

答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96% TLV (THRESHOLD LIMIT VALUE ) 国际标准阈限值、恕限量

答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。

PEL-TWA(time-weighted average) 工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。

PHOTO PHOTO 流程?

答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？

答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻?

答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

何为负光阻?

答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。

什幺是曝光？什幺是显影？

答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo?

答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何?

答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。 何谓PHOTO区之前处理?

答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻?

答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake?

答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光?

答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)?

答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影?

答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake?

答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？

答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。 何谓 I-line？

答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。

何谓 DUV？

答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。

I-line与DUV主要不同处为何?

答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。 何为Exposure Field?

答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 何谓 Stepper? 其功能为何?

答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去 何谓 Scanner? 其功能为何?

答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field. 何为象差？

答：代表透镜成象的能力,越小越好. Scanner比Stepper优点为何？ 答：Exposure Field大，象差较小

曝光最重要的两个参数是什幺？

答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。 何为Reticle?

答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。 何为Pellicle?

答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。 何为OPC光罩？

答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。 何为PSM光罩？

答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。 何為CR Mask？

答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺？

答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）

光罩室同时不能超过多少人在其中？

答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。 存取光罩的基本原则是什幺？

答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放 如何避免静电破坏Mask？

答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。 光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？

答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。 何谓 Track?

答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。

In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？ 答：均为4个

机台上亮红灯的处理流程？

答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。 何谓 WEE? 其功能为何?

答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。 何为PEB？其功能为何？

答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves） PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻 答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。 RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？

答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。 何谓 Overlay? 其功能为何?

答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition. 何谓 ADI CD?

答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。 何谓 CD-SEM? 其功能为何?

答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。 PRS的制程目的为何？

答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。

何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？

答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为OOC, OOS，OCAP？

答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？

答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。

PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？ 答：5点，Wafer中间一点，周围四点。

PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？ 答：20

PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？ 答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？

答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理

PHOTO区的主机台进行PM的周期？ 答：一周一次

PHOTO区的控片主要有几种类型

答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer 当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？ 答：有少量光阻

当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？ 答：有少量光阻

WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？ 答：有

光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?

答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机) 为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术

答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是\"人物\". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了. 光刻技术的英文是什幺 答：Photo Lithography

常听说的.18 或点13 技术是指什幺?

答：它是指某个产品,它的最小\"CD\" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数. 从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?

答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限. 曝光机的NA 是什幺?

答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.

曝光机分辨率是由哪些参数决定的?

答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间. 如何提高曝光机的分辨率呢?

答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.

现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?

答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光; 下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器. 波长157nm

我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?

答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.

为什幺光刻区采用黄光照明？

答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明. 什幺是SEM

答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD 如何做Overlay 测量呢?

答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.

生产线上最贵的机器是什幺 答：曝光机;5-15 百万美金/台 曝光机贵在哪里?

答：曝光机贵在它的光学成像系统 (它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用激光工作台) 激光工作台的定位精度有多高?

答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm

答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm. 在WAFER 上, 什幺叫一个Field?

答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。 直到覆盖整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有约100左右Field. 什幺叫一个Die?

答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。 一个Field可包含多个Die; 为什幺曝光机的绰号是“印钞机”

答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。

Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：

答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER. TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.

可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光 答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害

为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座) 答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震) 近代光刻技术分哪几个阶段?

答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm) I-line scanner 的工作范围是多少? 答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER) KrF scanner 的工作范围是多少? 答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER) ArF scanner 的工作范围是多少? 答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER) 什幺是DUV SCANNER

答：DUV SCANNER 是 指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：

答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米 光罩的结构如何？

答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.

在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸

答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper. 如何做CD 测量呢?

答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同; 处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD. 什幺是DOF

答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似. 光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形. 当离开一段距离后, 图像模糊. 这一可清晰成像的距离叫DOF 曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？

答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板． 光阻种类有多少？

答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻 光阻层的厚度大约为多少？

答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.

哪些因素影响光阻厚度？

答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关． 哪些因素影响光阻厚度的均匀度？

答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关． 当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理

答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗

CMP

CMP 是哪三个英文单词的缩写？

答：Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨) CMP是哪家公司发明的？

答：CMP是IBM在八十年代发明的。 简述CMP的工作原理？

答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力， 用化学研磨液(slurry)来研磨的。 为什幺要实现芯片的平坦化？

答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。 CMP在什幺线宽下使用？

答：CMP在0.25微米以下的制程要用到。 什幺是研磨速率（removal rate）?

答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。 研磨液(slurry)的组成是什幺？

答：研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。 为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)？

答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。 为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)?

答：研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。 什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？

答：blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。 Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会一样吗？

答：一般来说，blanket wafer 与pattern wafer的removal rate是不一样的。 为什幺Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会不一样？

答：Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate不一样是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方压强(pressure)大，研磨速度大（回想Preston关系式）。而且， 总的接触到研磨的面积要比Blanket wafer接触到研磨的面积要小，所以总的压强大，研磨速度大。 在研磨后，为什幺要对芯片进行清洗？

答：芯片在研磨后，会有大量的研磨颗粒和其它一些残留物留在芯片上，这些是对后面的工序有害，必须要清洗掉。

CMP (process tool) 分为几类？

答：对不同膜的研磨，CMP分为Oxide, W, Poly, Cu CMP等。 CMP常见的缺陷（defect）是什幺？

答：CMP常见的缺陷有划伤(scratch), 残留物(residue), 腐蚀（corrosion）. W Remove Rate 用什幺方法来测？

答：W是指Tungsten (钨), remove rate是指化学机械研磨速率，即单位时间内厚度的变化。由于钨是不透光的物质，其厚度的测试需由测方块电阻(sheet resistance or Rs)的机台来测量。 用来测定Oxide Thickness的方法是什幺？

答：由于二氧化硅(Oxide)是透明的，所以通常测量二氧化硅的厚度（Thickness）用椭偏光法。 为什幺要测particle(尘粒)？

答：外来的particle对半导体器件的良率有很大的影响，所以在半导体器件的制造过程中一定要对尘粒进行严格的控制。

用光学显微镜检查芯片的重点是什幺？

答：用光学显微镜（Optical Microscope or OM）可以观察到大的缺陷如(1) 划伤 （scratch）,(2) 残留物（residue）

CMP 区Daily monitor日常测机主要做哪些项目？

答：任何机台的特性（performance）会随时间的变化而变化。日常测机是用来检测机台是否处于正常的工作状态。CMP的日常测机通常要测以下一些项目：(1) removal rate (2) particle (3) uniformity CMP区域哪些机台可以共享一种dummy wafer,哪些不能？

答：W DUMMY 只能用于w机台，poly dummy 只能用于poly机台，OXIDE dummy可以共享。 什幺是over polish?

答：化学机械研磨是去掉芯片上的膜的高低不平的部分，从而达到平坦化或所需要的图形。如果研磨掉膜的厚度比预定的厚度要大，就叫overpolish。 Overpolish后的芯片是不可挽救的。 什幺是under polish?

答：如果研磨掉膜的厚度比预定的厚度要小，就叫underpolish。Underpolish后的芯片可以通过重新研磨来补救。

CMP 研磨机台由哪几部分组成？

答：CMP机台由芯片机械传送装置，研磨和清洗等组成 CMP区域的consumables (易耗品)通常是指哪些？

答：CMP区域的consumables (易耗品)通常是指研磨液，研磨垫， 清洗用的刷（brush）, diamond disk(金刚石盘)等。 FA

1. SEM 的用途?

答：用途:形貌观察与量测参考,截面观察与TOP VIEW观察 2. SEM-4700和SEM-5200的加速电压分别为多少? 答：0.5KV~30KV

3. 送TEMcase时工程师要注意什幺事

答：(1) 送件时:Please cap oxide or nitride layer以方便分析者分辨其接口以及避免研磨时peeling (2) Request需用OM相片或手绘清楚地标示其 top view and X-section structure (3) FA engineer 会与委托者讨论与建议其试片之处理方式 4. 我们所用TEM的加速电压为多少？ 答：200KV 5. EDX的用途?

答：Fast Element Microanalysis(快速元素微分析)Line scanning (线扫描)Mapping (面扫描) 6. EDX 是那三个字的缩写

答：Energy Dispersive Spectrometry(能量分析光谱仪) 7. FIB的用途?

答：(1) 作定点切削并边切边观察 (2) 电路修补 (3) TEM样品制作 8. 做FIB case时工程师要注意什幺事?

答：(1) Top layer is polyimide or Oxide layer时需提前二小时送件以便有充份时间处理样品 (2) 请注明试片之Top layer是何种材质. (3) Request KLA defect map analysis须提前将data file transfer 至Knight system

9. SEM是哪三个字的缩写？中文名称是什幺？

答：Scanning Electron Microscope,中文是扫描式电子显微镜 10. SEM-4700和SEM-5200的分辨率分别为多少?

答：S-4700可以达到1.5nm@15KVS-5200可以达到0.5nm@30KV 11. SEM-4700和SEM-5200 主要的区别是什幺?

答：(1) S-5200 比S-4700的分辨率高,(S-5200分辨率为0.5nm at 30kV,1.8nm at 1KV)(S-4700分辨率为1.5nm at 15kV,2.5nm at 1KV )(2) S-4700一次能同时放约8片试片而S-5200只能一次一个试片,而S-5200只能看样品的Cross section. (3) 倍率低于150kx在S-4700分析,倍率高于150kx在S-5200分析 12. TEM是哪三个字的缩写？中文名称是什幺？

答：Transmission Electron Microscope,中文是穿透式电子显微镜

13. 当使用TEM来观测样品时，为求图象清晰，需要镀金或用Chemical吗？ 答：不需要，只要将样品处理到一定的厚度(大约1um)，便于电子束穿过即可。 14. 我们的TEM需用到底片拍照吗？

答：不需要。我们的TEM是用CCD成像，照片以电子档的形式提供给客户。 15. 我们所用TEM的分辨率为多少？

答： 0.248nm点分辨率(能分辨一点与另一点)；0.102nm线分辨率(能分辨线与线之间距离)。 16. TEM有哪些应用？

答： 微区结构，形貌观察；晶体结构分析；微区成份分析；超薄氧化层厚度测量等。 17. 我们的SEM,FIB,TEM需要用到底片吗？

答： 不需要，照片都是以电子档的形式提供给客户。 18. EDX对样品有何要求？

答：(1) 样品要尽可能地使表面平滑(2) 取样的样品数要足够(如粉末状样品)以便置于SEM内做EDX分析 (3) 如charging样品中确定不含有导电物铂(Pt),则可以镀金以防charging 19. EDX中加液氮的作用是什幺？ 答：冷却EDX探头。

20. TEM EDX和SEM EDX相比有哪些优缺点？

答：(1) TEM EDX空间分辨率较SEM EDX高. (2) TEM试片较SEM试片薄所以其电子束穿透 (3) TEM试片准备较SEM试片复杂

21. FIB是哪三个字的缩写？中文名称是什幺？ 答：Focus Ion Beam,中文是聚焦离子束 22. Auger 仪器能分析到多少深度的信号? 答： 大约是表面 50?

23. 申请做FA case的一般过程是什幺？

答： 要详细填好FA request form(detailed background information& expectation)。并由manager签署认可,委托单若信息模糊，描述不清将会被拒收。与FA人员讨论，进一步提供表格上不便表达的信息 24. Wafer sent to FA lab 注意事项？

答： 芯片需用芯片盒装好, 不可以夹在笔记本内或用塑料袋装, 尤其是光阻或需要表面分析的芯片表面更不能压到或污染, 另外送TEM表面分析的芯片最好再上一层OXIDE or NITEIDE以保护欲观察layer避免PEELIN

25. Urgent case 是怎幺安排的？

答： Urgent case需提前一到两小时通知FA Lab，须出示红卡(等视于厂签名)，可以优先使用时段，被占用时段的case将往后顺延

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2303 Atmospheric pressure CVD system大气压CVD系统常压CVD装置 系指反应室内压力，为大气压的CVD装置。其特点为沉积速度快，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。

D2304 Low pressure CVD system低压CVD系统减压CVD装置/低压CVD装置 系指将反应室保持在减压（低压）状态的CVD装置。其特点为可进行晶圆表面的均一反应，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。为此已下过很多功夫。

D2305 Vertical low pressure CVD system垂直型低压CVD系统纵型减压CVD装置 系指将反应管及加热器，配置成垂直的低压CVD装置。与水平型比较设置面积较小，因负载锁定（load locking）化容易，逐渐成为主流。

D2306 Metal organic CVD system有机金属CVD系统有机金属CVD装置/MOCVD装置 系指利用有机金属化合物的热分解反应，来制作化合物半导体膜的CVD装置。与经由汽相磊生成法，所生长化合物半导体单结晶的MOVPE装置，虽有所分但装置构成上有很多类同点。 Organo-metallic CVD system有机金属CVD系统OMCVD装置

D2307 Plasma enhanced CVD system等离子体增强CVD系统 系指在低压下，经反应性瓦斯的等离子体放电分解，可形成薄膜的CVD装置的总称。与热激励CVD法不同，具有可在较低温CVD反应的特点。将等离子体的产生能量，若以频率为主加以分频时，有高频等离子体，微波等离子体，ECR等离子体等各种装置。

D2308 RF plasma enhanced CVD system高频等离子体增强CVD系统 系指在低压下，经由反应性瓦斯的高频辉光放电分解，可形成薄膜的CVD装置。经由装置构造，可分频为电容性耦合型及电感性耦合型。

D2309 Capacitive coupled plasma enhanced CVD system电容性耦等离子体增强CVD系统 系指对设置在石英反应管的外侧或内侧相面对电极间，施加电压产生低压反应瓦斯的等离子体，经由等离子体分解可在晶圆上，形成薄膜的 CVD装置。

D2310 Multiple parallel plate electrode plasma enhanced CVD system多平行电极等离子体增强型CVD系统 系指对石英反应管内插入多数平行电极板，在此电极上设置有多数成垂直的 晶圆，具有此一构造的电容性耦合型等离子体CVD装置。在相面对平行电极板间，施加高频功率产生低压反应瓦斯的等离子体，而形成薄膜

D2311 Diode parallel plate enhanced CVD system二极管平行板等离子增强型CVD系统 系指反应室内有2片平行电极板相对，在内建有加热器的一侧电极板上设置晶圆，在互相面对的电极间施加高频电压，使的产生低压反应瓦斯的等离子体，使晶圆上形成薄膜的电容性耦合型等离子体CVD装置。 编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2312 Coaxial cylindrical plasma enhanced CVD system同轴圆筒型等离子增强型CVD系统 指对圆筒型外部电极内部，配置同轴状多面体的晶圆固定电极，此一电容性耦合等离子体增强型CVD装置。在二电极间施加高频电压，使的产生低压反应瓦斯的等离子体，而在晶圆上形成薄膜。

D2313 Inductive coupled plasma enhanced CVD system电感性耦等离子体增强CVD系统 系指绕在石英反应管外侧的线圈施加高频电压，使的产生低压反应瓦斯的等离子体，使设置在反应管内的晶圆上，形成薄膜的等离子体CVD装置。

D2314 Microwave plasma enhanced CVD system微波等离子体增强型CVD系统 系指具有由微波导波管，与产生等离子体瓦斯导入口，经由微波激励的等离子体放电室，所构成的等离子体CVD装置。在经由微波所产生等离子流的下游，引进反应瓦斯，可在内建有加热器（susceptor）内，于低温形成薄膜。 亦有将反应瓦斯直接引进等离子体放电装置的方法。

D2315 After glow microwave plasma enhanced CVD system隔离型微波等离子体增强型CVD系统 系指将经由微波将等离子体产生室与成膜室加以隔离，期间以输送通路加以连接的微波等离子体增强型CVD装置。因晶圆没有暴露在等离子体下，具有不受等离子体影响的低损害成膜的特点。

D2316 Electron Coupling Resonance (ECR) plasma enhanced CVD systemECR等离子体增强型CVD系统 是指由微波导波管连接而在周围设有磁场产生机构的等离子体室,与收纳晶圆的反应室,所构成的CVD装置.经由2.45GHz的微波与875G的磁场,利用离子源来产生高密度的等离子体,将反应性瓦斯加以分解,于低温下在晶圆上形成薄膜..

D2317 Photo assisted CVD system光辅助型CVD系统光CVD装置 是指经由光能将气体分子加以分解,于低温在晶圆片上形成薄膜的CVD装置.因所使用光源,可分类成雷射CVD装置与紫外线灯CVD装置. D2318 Laser assisted CVD system雷射辅助型CVD装置 是指经由雷射光能将气体分子加以分解,与低温在晶圆片上形成薄膜的CVD装置.因所使用雷射(由电子激励),与红外线雷射(由振动激励)等CVD装置. D2319 Ultraviolet lamp heating CVD system紫外线灯加热型CVD系统 是指由紫外线灯光装置,与内建有晶圆片加热器的反应室,所构成的CVD装置.紫外线光源要使用可产生200nm-300nm的紫外线,或200nm以下的真空紫外线波长范围的灯泡.总的,反应分子的光分解,是利用瓦斯分子的位能(potential energy)吸收紫外线,将其提高到电子激励状态,然后加以分解的原理.。

D2320 Liquid source delivery system液体源输送系统 系指将Si或金属化合物等液体源，加以汽化并连续输送一定量至反应室的装置。惯用的起泡方法，系将输送量以汽化瓦斯的流量加以控制的方法（直接法)与以液体的流量加以控制，然后加以汽化的方法已被研发，依反应室的压力条件，或液体源的蒸汽压，分开使用。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2321 Radio frequency workcoil高频工作线圈 系指当将Si或GaAs等的半导体晶圆加以加热的际，为要加热搭载此等被加热体的承受器，在其近旁所配置的感应线圈。对感应线圈施加高频电压，由于被加热体属于导体，因受电磁感应而产生涡电流，而以涡电流所产生的热来加热被加热体。

D2322 Cold wall冷壁 在CVD装置中，系利用内建在反应室中来自加热器，或紫外线灯泡的放射热或高频加热，将晶圆加以加热的方法。因反应室的内壁温度不致成为高温，与热壁相对而称为冷壁。

D2323 Deposition rate沉积速度 系指在晶圆片上每单位时间的生长膜厚。使用于CVD成膜方法的场合较多。

D2324 Chamber cleaning反应室清除 是指将附着在反映室内的反应残渣加以清除的方法。就干蚀刻（dry etching）法而言，有利用瓦斯的化学蚀刻（chemical etching）法，与等离子体清除（plasma cleaning）法。

D2325 TEOS-O3 atmospheric pressure CVD methodTEOS-O3 大气压CVD法 TEOS-O3 CVD法 是指以属于液体源的TEOS*作为反应源，以O3作为氧化剂，在大气压下形成SiO2膜的CVD法。具有优越的阶跃式覆盖范围，与高生产量（through-out）为期特点。有时以B、P作为残杂剂（dopant）。* tertraetylorthosilicate : Si(OCH2CH3)4，冠其头一字而称为TEOS。

D2326 Reaction tube反应管 是指在CVD装置或磊晶生长装置等热处理装置中，反应部形状为管状者。是以高纯度石英管被用作反应管材。

D2327 Reaction chamber/reactor反应室/反应器 是指在CVD、磊晶生长装置等所用的成膜室。可以收纳晶圆、晶圆保持架（wafer holder）及承授器（susceptor）.特别以高纯度石英制作的管状者，称为反应管。反应室有时亦称为沉积室。

Deposition chamber沉积室，蒸镀室

D2328 Plasma cleaning等离子体清除，电浆清除 是指在CVD装置中，经由反应气体离子体的产生，将附着于反应室内的膜，加以清除的方法。

D2329 Plasma TEOS CVD method等离子体TEOS CVD 法 是指对低压CVD的反应室输送TEOS作为反应瓦斯，经由对电极间施加高频电压来产生等离子体，而在晶圆片上形成SiO2膜的方法。有时以B、P作为掺杂剂。

D2330 Pre-cleaning chamber预先清除室 是指在蒸镀或沉积前，将晶圆片表面加以清除的专用处理室。大都使用于多室腔型的装置。

D2331 Hot wall热壁 是指在CVD装置中，利用由反应室的外侧加热器，来进行加热反应器内晶圆的方法。因此反应室内壁温度为高温，而称为热壁。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2332 Metal CVD method金属CVD法 是指利用金属化合物的热分解，来形成金属膜的CVD法。为对应于细微图案的布线、填坑及平坦化，可选择WCVD、覆盖（blanket）WCVD 已被实用化。其它作为位障（barrier）层的形成或布线材料，已经研发了好多种金属的成膜方法。

D2333 Excluding backside deposition防止背面沉积 系指可防止在晶圆背面生成薄膜的构造及其方法。在金属CVD法中，反应瓦斯会迂回到晶圆背面，进行不完全成膜，此法大都为防止因剥离有时会产生微粒时使用。

D2335 Diamond CVD金铜钻CVD 系以甲烷等碳素化合物为原料，籍以形成金钢钻薄膜的CVD。可以使用等离子体CVD法，热灯丝法，离子束溅射法等，此一金钢钻CVD可期待应用到制作高速、高温动作的半导体组件。

D2337 Vaporized solution source CVD汽化液体源CVD 系经由液体原料加以汽化，使的在晶圆表面形成薄膜的CVD。最近用来形成BST、SBT等强电介体薄膜。

D2338 High density plasma enhanced CVD高密度等离子体增强型CVD 系为提升阶跃覆盖范围，与增大附着速度，将等离子体密度增强的CVD。就等离子体产生源而言，有ECR或螺旋波可被使用。

2．4 磊晶生长装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2401 Exitaxial growth system磊晶生长系统 是指承继晶圆的结晶性，可磊晶生长成单晶层的装置。受生长的气氛，可以大略分成分子束磊晶生长装置，液相磊晶生长装置。从材料面来观察时，可分类成与晶圆生长同一材料者，称为同质磊晶（homoepitaxy）,与晶圆生长层不同材料者，称为异质磊晶（heteroepitaxy）。

D2402 Molecular beam epitaxial growth system分子束磊晶生长系统 是指将凝要生长的材料，在10-8-10-9的超高真空中，以分子束状迎面奔向相对的晶圆片上，磊晶生长成单晶层的装置，具有可在低温制作杂质或结晶缺陷少的薄膜等特点。通常在成膜制程现场可附设，可以分析组成成分或观察结晶性的附属功能。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D2403 Gas source molecular beam epitaxial growth system瓦斯源分子束磊晶生长系统 是指可将有机金属CVD装置（MOCVD）与分子束磊晶装置（MBE）两者的优弱点，加以取长补短的装置。因使用瓦斯源作为薄膜生产材料，除了有MBE 的优异结晶控制性，也具备有 MOCVD的可选择生长等特点。此一系统有时可称为有机金属分子束磊晶生长系统，或化学分子束磊晶生长系统。

Metal organic molecular beam epitaxial growth system有机金属分子束磊晶生长系统MOMBE 装置 Chemical beam epitaxial growth system化学分子束磊晶生长系统CBE装置

D2404 Atomic layer epitaxial growth system原子层磊晶生长系统装置/ALE装置 是指使原子层或分子层，一层一层加以控制使其生长的装置，就原子层的控制方法而言，可分类为定时（timing）法与饱和吸附法，将化合物半导体组件制作成极微细构造，用来获得量子效果。

D2405 Vapor phase epitaxial growth system气象磊晶生长系统 是指利用高温汽相中的化学反应，可在晶圆片上生长硅、化合物半导体等单结晶的装置。此一装置可分类为大气压汽相磊晶生长法，有机金属汽

相磊晶生长法，及光汽相磊晶生长法等装置。

D2406 Atmospheric pressure vapor phase epitaxial growth system大气压汽相磊晶生长系统 是指汽相磊晶生长可在大气压下进行的装置。此一装置通常使用于硅装置，特别是双载子（bipolar）装置等制程上。

D2407 Reduced pressure vapor phase epitaxial growth system减压汽相磊晶生长系统 是指汽相磊晶生长可在减压状态进行的装置。由来自晶圆的自动掺杂会减低，有可得峻峭的组成分布等等的优点。亦可称为低压汽相磊晶生长系统。

low pressure vapor phase epitaxial growth system低压汽相磊晶生长系统

D2410 Liquid phase epitaxial growth system液相磊晶生长系统 是指将单结晶的子晶（seed），接触到含有生长材料的过饱和溶液，经由使二者间形成温度坡度，而在晶圆表面生长磊晶层的装置。

D2412 Deposition chamber沉积室 是指在CVD装置，或磊晶生长装置，为形成薄膜的部分装置。此一称沉积室可收纳有晶圆，晶圆固定器，承受器（susceptor）及加热器等。

D2413 Growth rate生长速率 是指每单位时间在晶圆上的生长膜厚度。使用于磊晶生长法的场合较多。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D3001 Oxidation system氧化系统 是指可在晶圆片上形成氧化膜的装置。依温度，周围空气，压力以及装置的形成，可分成大气压热氧化、高压热氧化及等离子体阳极氧化等装置。为氧化膜厚的调节活为防止膜中的金属污染为目的，有时采取分压氧化，盐酸添加氧化，TCA(t ri ch lo ro－ethane)添加氧化，DCE(di ch lo ro－ethylene)添加氧化等方法。

D3101 Thermal oxidation furnace热氧化炉 是指经由将氧气或水分子，输送到反应室内被加热的晶圆，使的在高温下经热氧化反应，而在晶圆面上形成氧化膜的装置。

D3102 Atmospheric thermal oxidation furnace大气压热氧化炉 是指可在大气压附近形成热氧化膜的装置。氧化的方法有干式（在干燥氧中氧化），湿式（以水蒸汽氧化），以氢气来燃烧等氧化。就反应管及加热器的配置方式而言，可分为横型大气压热氧化，及纵型大气压热氧化等装置。

D3103 High pressure thermal oxidation furnace高压热氧化炉 是指可在高压下进行氧化的装置。与通常的热氧化比较，可谋求氧化温度的低温化及氧化时间的缩短化。

D3104 Plasma oxidation system等离子体氧化系统 是指经由以化学较活性的氧气等离子体与晶圆间的反应，可形成氧化膜的装置。可在较热氧化法为低的温度形成氧化膜。

D3105 Rapid cooling system急冷系统 是指在氧化，扩散及CVD装置中，可将炉内温度作急速冷却的电炉。若晶圆处理温度与晶圆取出温度不相同时，可能影响产量的提升。

D3106 Oxynitridation in N2O(NO)酸窒化酸化 是指使用N2O或NO瓦斯，将晶圆加以氧氮化的作法。经由本作法所得极薄氧氮化膜，因可由氮气原子改善接口特性，较以往的热氧化法所得氧化膜，可以提升电气特性。

Oxynitridation in N2O（NO）在N2O中的氧氮化

D3107 External torch unit外界火炬装置 是指使用热氧化装置来进行水蒸汽氧化时，在反应炉外燃烧氩气与氧气来产生水蒸汽的装置。水蒸气的量是以质量流控制器（mass flow controller）.对氩气及氧气作精密的调整控制。其燃烧部亦可以称为高温装置。

D3108 Linear tube线性温度加热管，均热管 是指在利用各种加热源来加热似料的装置中，为避免加热源参差不齐的温度传入试料中，在加热源与试料间插入，籍以使加热温度均匀化的容器。通常都使用管状容器。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D3112 Radial temperature uniformity径向温度均一性 是指在热氧化、热扩散及CVD等装置中，位于炉的任意横断面，其温度分布的均一性。径向量度的均一性因与晶圆的面内温度有直接关联，例如，对于C

VD膜生长是一很重要的因素。

D3113 Flat zone length热平坦区长度 是指具有将温度分布控制在控制在规定的温度偏差以内的领域长度。

D3114 Temperature recovery time温度复原时间 是指对预先加热反应管的均热部部分，从插入晶圆算起至获得插入晶圆前的均热状态所需时间。

D3115 Temperature profile温度断面图 是指位于晶圆筒形加热器反应管内方形方向的温度分布，是表示炉内温度与距离间关系的图案。

D3116 Boat loader晶舟搭载机 是的为将放置试料的晶舟，送进抑或退出的自动搭载机。关于速度与停止位置的再现性，需要进行告精度的控制。经由将推进棒(pusher)拔出或插进反应管，来进行试料晶舟的插入或拔出。

D3118 Boat晶舟 指将晶圆插入反应管或从反应管拔出时所用的冶金工具。通常是以高纯度的石英或加工SIC来制作的。在此一晶舟的槽沟上可设置大约25－200片左右的芯片，来进行反应处理。

D3119 Boat transfer晶舟输送机 是将多数的垂直型反应管排成一列，从自动化装置的一端。将晶舟沿着反应管列输送，针对着设置在各反应管内的晶舟处理机（boat handler），将晶舟加以交接的装置。 D3120 Boat elevator晶舟升降机 是使用于晶舟输送装置的一种，将晶舟对上下（垂直）方向输送，针对各反应管将晶舟加以交接的装置。

D3121 Boat handler晶舟处理机 是使用与晶舟输送的处理装置，是位在晶舟升降机与晶舟输送机间，将晶舟作垂直交接的装置。主要使用于垂直型反应炉。

D3122 Cassette transfer晶舟匣盒传送机 是指将多数的垂直型反应管排成一列，从自动化装置的一端，将晶圆匣盒沿着反应管输送，针对设置于各反应管内晶圆自动移载装置，将晶圆

D3125 Ramp up 倾斜升温，每单位时间的温度上升 是指当晶圆送入热处理炉内后，依某一决定速度将温度倾斜上升至处理温度的谓。亦是每单位时间的温度上升。相反，对某一决定速度将温度降下来者，称为冷却（cool down）.

D3127 Internal torch unit内部火炬装置 是使用热氧化装置来进行水蒸气氧化时，将氢气与氧气送入加工处理管(process tube)内，加以燃烧的水蒸气产生装置。

D3129 Oxidation seed氧化种子 酸化种 是指有助于氧化反应的原子，分子及离子等物质的总称。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D3130 Process tube加工处理管，管壮反应器 是有关热处理装置，直接将高纯度瓦斯引进其内部，藉以将晶圆加以处理的管状反应器的总称。该管难以使用高纯度石英玻璃为主，就高温加工处理用而言，大都使用碳化硅（ＳiＣ）

D．4 掺杂（doping）用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4001 Doping system掺杂系统 是指为将Ｐ型或Ｎ型杂质原子，添加于晶圆片上的掺杂装置。有关杂质掺杂方法有热扩散(thermal diffusion)法，雷射掺杂(laser doping)法，等离子体掺杂(plasma doping)法及离子注入(ion implantation)法。

4．1 热扩散装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4101 Thermal diffusion furnace热扩散炉热扩散装置 是能经由控制温度与流量，可将p型或n型杂质

热扩散到晶圆片中的装置。由于反应管及加热器的配置方法，可分为横卧式热扩散，与竖立式热扩散等装置。

4．2 雷射参杂装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4201 Laser doping system雷射掺杂系统 是指将紫外领域波长的雷射光照射于晶圆上，经由光化学反应将掺杂物（dopant）瓦斯加以分解，同时将照射部分局部加以溶解，可对此一部分进行掺杂（doping）杂质的装置。与离子注入法有所不同，缺陷的形成被加以抑制，因而为活性化的退火（annealing）处理可弃的不用。就雷射而言，主要使用具有短波长的准分子雷射（excimer laser）。

4．3 离子直入装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4401 Ion implanter离子注入机 是指对具有运动能量的离子加以照射，为能将试料的物性加以控制的装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。

D4402 Low energy ion implanter低能量离子注入机 是指离子能量（1价离子）的最大值，在10Kev以下的离子注入装置。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4403 Medium energy ion implanter中能量离子注入机 是指离子能量（1价离子）的最大值，超过10Kev而在250Kev以下的离子注入装置。

D4404 Low current ion implanter小电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，未超过0.5mA的离子注入装置。

D4405 Medium current ion implanter中电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，在0.5mA ~ 5mA的离子注入装置。

D4406 High current ion implanter 大电流离子植入机 系指线速电流的最大值，在5Ma以上的离子植入装置。

D4407 High energy ion implanter 高能量离子植入机 系指离子能量（1价离子）的最大值，超过250Kev的离子植入装置。

D4410 Ion source离子源 系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。

D4411 Ion implantation离子植入，离子移植 系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼（B），磷(P)，砷(As)等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。

D4412 Ion beam离子束 系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具有方向性，且有无秩序的举动。 D4413 Mass resolution质量分解力 系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数的比来表示

D4414 Wafer-to-wafer dose uniformity晶圆间离子植入的均质型 系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。

D4415 Wafer twist 晶圆扭转 系将晶圆片上置于晶缘固定板(platen)上时，由基准位置将主定向平面(orientation flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。 D4416 Wafer disk晶圆圆盘 系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片~十数片，加以装填的圆盘。为

要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。 D4417 Wafer tilt晶圆倾斜 系指当进行离子注入的际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。

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D4418 Wafer dose uniformity晶源离子注入均质性 系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。

D4419 Wave guide 离子波束引导管（腔），导波管 系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔(vacuum chamber)。为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。有时亦称为分析管(腔)。 Analyzing chamber 分析管（腔）

D4420 Energy contamination 能量污染，杂质能量 系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分的离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。

D4421 Electron suppressor电子抑制器 系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。 Base偏压

D4422 Electron flood gun淹没式电子，电子流 系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷(charge up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子(electron show)流，或电子障壁。

D4424 Orientation flat aligner / flat orientor定向平面对准器 系指将晶圆搭载于晶圆固定板的际，将晶圆的定向平面(orientation)，或将缺口(notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角(twist angle)，与晶圆倾斜(wafer tilt)共同决定离子植入晶圆时的入射角度。

D4425 Rotational implant 旋转式（离子）植入 系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。

D4428 Acceleration tube加速管 系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间的电场来加速离子。

D4429 Acceleration voltage加速电压 系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。

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D4431 Cross contamination交互污染 系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具(cluster tool )的普及，此一用语的使用日益增多。

D4433 Post acceleration system后段加速系统 系指在质量分析系统的前，将以20-40 Kev 的低加速能量给予离子波束，而在质量分析系统的后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的 离子注入。

D4435 Solid vaporizer固体蒸发源 系指要产生的际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的观点，此一固体蒸发

大都用作替代有毒瓦斯。

D4436 Contamination level污染量 系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS,原子吸光分析等的定量分析，可利用下述数式来计算。污染量[%，ppm]=混进离子的注入量（atoms/cm3） 所盼离子的注入量( atoms/cm3 )就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表的。 D4439 Deionized water cooling 去离子水冷却 系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子水的比电阻作适当的管理。

D4440 Scanned beam current扫描波束电流 系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时的波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩的，仅被领域的离子到达晶圆，成为较点状(spot ) 照射为少的电流值。

D4442 Preacceleration system前置加速系统 系指从离子源被提取的离子波束，在质量分析系的前，给予必要的加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子的方式。

D4443 Ion source magnet离子源磁铁 系指以协助原子，分子的电离为目的，而对离子源施加磁场的磁铁。大都被当作正交电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场的强度以离子源的种类而定。

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D4444 Tandem electrostatic accelerator 串接静电加速器 将置于大地电位的离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位的高压部，又被设在该部的电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式的离子植入装置。系为形成高能离子时使用。 D4445 Channeling穿隧效应/沟道效应 若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中的原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。此一过程称为穿隧效应（channeling）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面穿隧效应。

D4446 Charge up 充电，使绝缘物带电 系指注入离子中，晶圆片上的绝缘物会带电的情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子（ electron flood gun）.

D4447 Implant chamber离子植入室 系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（high throughput ）,亦准备真空预备室或2套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。

Process chamber处理室 Target chamber 打靶室

D4448 Muliple tilt angle implantation多倾斜角植入 系指植入离子的际，对一片晶圆将倾斜角多次边变换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜角继续进行注入。通常在植入中。晶圆系连续在旋转。

D4449 Acceptable wafer size适用晶圆尺寸 系指装置所能处理的晶圆尺寸。因受到终端站机构等，可进行注入处理的晶圆大小，就受到。通常，可处理晶圆的直径以被称呼的直径表的。 D4450 Dose剂量 系指植入试料或被植入每单位面积的离子数目。

D4451 Hybrid scan混合式扫描 系指可将波束扫描（静电扫描，磁铁扫描），与机械式扫描加以搭配，可得离子植入很均匀的扫描方式。例如X方向的扫描，系将晶圆盘高速加以旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就Y方向加以扫描。

D4452 Batch-to-batch dose uniformity 批次间的注入均质性 基本上系与晶圆间的注入均质性（再现性）同一意义。以批处理进行注入离子的场合，每一批搭载有评价用晶圆，与晶圆间均质性的场合同样，可以求得各批次间的偏差。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4453 Parallel beam平行波束 系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面的入射角，系属于相同的离子波束。此一离子波束可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元平行化的混合方式。

D44 Beam stability波束安定性 系指在产生离子波束的状态下，表示装置安定性的指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在一定时间内以波束电流的变动量表的。

D4455 Beam energy波束能量 系指构成离子波束，其离子本身所具有的能量。特别关于靶极，系指离子波束所具有运动能的情形较多。此时，离子系以波束能量被注入试料中。 Ion energy离子能量

D4456 Beam focusing system 系为要聚焦离子波束，具有透镜作用的部分装置总称。此一波束聚焦系统，有静电电极透镜，静电4重极透镜，磁场透镜，及磁场4重极透镜等等。

D4457 Beam current波束电流 系指将离子波束的量，以离子在单位时间搬运的电荷量，亦即以电流来表示者。特别关于靶极，系指照射于试料的离子波束量。由多价离子所构成离子波束的场合，有以电流量本身来表示的场合，与以其离子的价数除以电流量的商值来表示的场合，分别以eA(electri campere)及pA(particle ampere)表的。 Ion current离子能量

D4458 Beam filter波束滤波器 关于植入多价离子时，为去除因离子波束与残余瓦斯间的碰撞，而产生低能量成分，所增设适当位障（potentail barrier )的机构。多价离子的植入，系在有必要对装置注入最大加速电压以上的能量时使用。

D4459 extraction voltage提取电压 为要提取在离子源所产生的离子，是指在离子源与提取电极的系统间，所施加的电压，经此一电压，可决定从离子源所提取的离子能量。

D4460 Extraction electrodes提取电极 是指与 电弧室缝隙相面对为要将离子源所产生的离子，加以提取出来的电极。为要使离子波束具有聚焦作用，通常是由2片电极所构成。

D4461 Faraday system法拉第系统 是指由连接到抑制电极及电流积分器的法拉第帽极，及靶极等所构成，可以用来将入射靶极的离子波束电流量，加以检测出来的装置。因二次放射电子经电子抑制器，又会回到法拉第帽极，电流量测试不致产生误差。

D4462 Platen晶圆固定台 是指单片晶圆处理的 终端站，将被送到达的晶圆加以保持住，且将晶圆设定到晶圆台，通常圆晶圆固定台有冷媒循环，将晶圆加以冷却。此外，固定晶圆的 固定台，在离子注入时，将成为法拉第系统的一部分，而发挥其功能。 编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4463 Resolving aperture鉴别孔隙 是指位于分析磁铁的焦点位置，是为挑选所离子种类的 缝隙。缝隙的大小成为质量分析上，可决定分解能力的重要因素。

D44 Anylyzing magnet分析磁铁 是指从包含有各种离子波束中，仅可将必要的离子中加以提取出来的磁铁。不同离子中在磁场内，各个依从其运动量而描述不同的轨道。利用此一特性，经由调整分析磁铁的磁场强度，仅可将所要的目标离子挑选出来。

D4465 Mask孔板，障板 是指当以 扫描离子波束植入离子时，为要决定植入领域，配置在法拉第系前的孔径。其孔径尺寸可选取其扫描领域能覆盖包含晶圆周围数mm即可。

D4466 Mechanical scan机械式扫描 是将离子波束加以固定，将装填多数片晶圆的圆盘，对X,Y方向作机械式扫描，可获得注入很均匀的扫描方式。就一般而言，将旋转圆盘作上下或左右并进运动。

D4467 Radio frequency linac accelerator高频线性加速器 系将离子源引出的离子，利用高频所加速方式的离子注入装置。在大地电位的短小线束中，较低的电压经由高频（RF），反复多数次将离子加以加速，可以形成MeV位阶的高能离子。此一加速器有将多数RF线性加速方式，与以单一四重极将离子反复加以加速与聚焦RFQ型加速方式。

Radio frequency quadrapole accelerator高频四重极加速器

D4468 Plasma flood gun 淹没式等离子 系指具有与淹没式电子（electron flood gun）同样的目的，

能对产生在晶圆上的正电荷加以中和的机构。系利用等离子体仅将低能量的电子，加以引进晶圆上。与淹没式电子比较，较不容易产生过剩的电子。

D4469 Final engry magnet终极能量磁铁 系指仅将作为目的能量的离子束，加以一定角度偏向的磁铁。其原理数以分析磁铁同样，此一目的系为去除能量污染（energy contamination）而设。

D．5 退火处理（annealing）用语 编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D5001 Anneal 退火处理 系利用各种加热源，来进行试料的热处理。因为加热源种类的不同，可以分类为激光退火处理、热放射退火处理、电子波束退火处理、闪光灯退火处理、及电炉退火处理等装置。

5．1 退火处理装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D5101 Laser annealer镭射退火处理机 系以激光光照射晶圆表面，，或将形成在晶圆片上的薄膜，在局部且短时间内，进行退火处理的装置。因激光光照射方式的不同，可分为脉冲激光退火处理、CW激光退火处理等装置。

D5102 Pulse laser annealer 脉冲镭射退火处理机 系指使用红宝石，YAG,准分子激光（excimer laser）等，将脉冲时间20∽50ms,功率密度107∽108w/cm2的脉冲振荡激光光，照射到晶圆片上，在1us以内的短时间内，可进行退火处理的装置。此一装置所能退火处理的面积较大，杂质的活性率有偏高的特点。 D5103 CW(continuous wave )laser annealer连续波镭射退火处理机 系指使用氩（Ar）、氪（Kr）\\CO2以及YAG激光等，将功率密度106W/CM2的连续振荡激光光，照射于晶圆片上，在ms等级的短时间内进行退火处理的装置。此一装置因不易产生杂质的再分布，具有可形成较浅接合的特点。

D5104 Electron beam annealer电子波束退火处理机 系指经由高能电子波束的照射，将晶圆表面，或形成在晶圆片上的薄膜，作局部且在短时间内，可进行退火处理的装置。经由电子线的照射放射方式，可分成脉冲电子波束退火处理，即CW电子波束退火处理等装置。

D5105 Infrared annealer红外线退火处理机 系指使用百热线或百热灯，将所产生放射光照射于晶圆片上，可在短时间内进行加热处理(Rapid Thermal Processing;RTP)的装置。经由放射光照射的处理不同方式，可分为卤素灯退火处理、弧光灯退火处理、石墨加热器退火处理等。

D5106 Halogen lamp annealer卤素灯退火处理机 系指使用路数等作为加热源的退火处理装置。此一装置对加热退火处理（Rapid Thermal Anneal;RTA）

D5107 Flash lamp annealer闪光灯退火处理机 系使用氙气闪光灯，将功率密度104∽105W/CM2的高能光照射于今片上，在数十um∽ms的短时间内，可进行退火处理的装置。此一装置具有一次可在大面积上退火处理，及杂质再分布较少的特点。

D5108 Arc lamp annealer弧光灯退火处理机 系指使用弧光灯作加热源的退火处理装置。可再ms极短时间内进行退火处理。

D5109 Graphite heater annealer石墨加热器退火处理机 系指将石墨加以烧结，且利用其当作加热源，可作为短时间内作退火处理的装置。

D5110 Furnace annealer电热炉退火处理机 系利用百热线等加热气，作为所希望的温度气氛，经由此一热传导加热晶圆片，籍以进行退火处理的装置。由于电热炉构造的不同，可分为横卧与竖立型电热炉退火装置。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D5111 Annealing chamber退火处理室 系指构成退火处理装置的要素中，为加热对象物所设置空间或构成品。此一构成品有石英制及金属制。

D5112 Annealing temperature 退火处理温度 系将试料做作加热处理时，可是该物质构造或物性安定化的处理温度。就晶圆制程而言，系指为进行非晶质层的单结晶化，热压结（sintering），接口的特性提升。恢复变形等的热处理温度。

D5113 Temperature up and down profile 温度升降剖面图 系指将晶圆等作热处理时，可显示其升降温度，，与处理时间间关系的图案。为提升热处理的再现性，为防止产生晶圆片的扭曲、变形、，有时对升降温度图案进行程控。

D5114 Ramp rate升降温速度/斜坡率 系指在退火处理的加热装置中，将对象物加热的所希望温度的际，其温度的上升与下降速度。

D5115 Sinter热压法/烧结 系指为要获得欧姆接触，所进行的热处理。多半使用于A1电极的处理。可再100-500℃的非活性瓦斯，及氢气的气氛中进行十～数十分钟的热处理.

D5116 Laser homogenizer镭射波束均匀化机 系指可将准分子镭射(excimer laser )等高斯分布(Gaussian distribution)指波束剖面，跨于广泛围变成均匀波束强度分布的光学装置。经由光学可变焦距透镜（zoom lens），可获得任何长方形而均一波束，因此，可搭配在镭射退火处理装置内。

D5117 Lamp power control照射灯功率控制 系指为要获得所希望的温度或膜厚，将施加于加热源的电流或电压，加以调整控制。经由控制电路的构造，使用变压器或SCR来调节所供应的功率.

D5118 Annealing uniformity退火处理的均匀性 系指经由退火处理，所产生晶圆面内或晶圆面间的温度偏差。对于使用于热电偶来直接测试晶圆，火车试离子注入后的退火处理均匀性，可经由测试薄层电阻（sheet resistance）来求得的。

D5119 Multi cycle annealing 多循环退火处理 系指在退火处理室内，对所要处理的晶圆，连续施加多循环的退火处理。此法可经由切换温度或空气中的瓦斯种来实行，可用来控制扩散层或薄膜的构成。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D5120 Multi step annealing 多步骤退火处理 系指在退火处理中，将温度改变的处理方法。此法可以将扩散层或金属膜中的扩散种类的分与结合，导入所希望的状态。

D5121 Cooling stage冷却阶段载物台 系指为要冷却退火后的晶圆到所指温度的载物台。此法有使用石英的水冷却板或直接将空气吹上去的方法。

D5122 Lamp arrangement灯泡系列 就灯泡加热装置而言，虽然使用以棒状、球状等形状的灯泡作为光源，在此是指