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高纯度氟化烃、其作为等离子体蚀刻用气体的用途以及等离子体蚀刻方法[发明专利]

来源：爱go旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高纯度氟化烃、其作为等离子体蚀刻用气体的用途

以及等离子体蚀刻方法

专利类型：发明专利发明人：杉本达也

申请号：CN201480058513.6申请日：20141028公开号：CN105683139A公开日：20160615

摘要：本发明是用式：R-F(式中，R表示异丁基或叔丁基)表示的氟化烃、该氟化烃作为等离子体蚀刻用气体的用途、以及使用所述氟化烃作为等离子体蚀刻用气体对层叠在硅或硅氧化物膜上的无机氮化物膜进行选择性等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，所述氟化烃的特征在于，纯度为99.9体积％以上，所包含的丁烯类合计为1000体积ppm以下。

申请人：日本瑞翁株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)

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