半导体器件及其应用

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN98805624.0 （22）申请日 1998.06.15 （71）申请人西门子公司

地址联邦德国慕尼黑

（10）申请公布号 CN1258381A （43）申请公布日 2000.06.28

（72）发明人沃尔夫冈·巴奇;海因茨·米特莱纳;迪特里希·斯蒂法妮（74）专利代理机构柳沈知识产权律师事务所

代理人侯宇

（51）Int.CI

H01L29/86; H02H9/00;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

半导体器件及其应用

（57）摘要

一种半导体器件及其应用,该半导体器件

尤其以碳化硅(SiC)为基,它能迅速地将短路电流到一个可接受的电流值上。为此当超过一预定饱和电流时,横向沟道区(22)被夹断,并使电流在低于饱和电流的值上。

法律状态

法律状态公告日

2000-06-28 2000-08-16 2003-12-10

公开

法律状态信息

公开

实质审查请求的生效发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

实质审查请求的生效发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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