专利名称：电路结构专利类型：发明专利
发明人：余振华,余佳霖,陈鼎元,邱文智,林宏达申请号：CN200910166072.2申请日：20090811公开号：CN101853906A公开日：20101006
摘要：本发明一实施例提供一种电路结构，该电路结构包括：基底，包括较高部分及较低部分；图案化掩模层，位于基底的较高部分上，且与较高部分直接接触，图案化掩模层包括多个间隔；缓冲/成核层，沉积于基底之上，且位于图案化掩模层的间隔之中；以及三-五族化合物半导体层，位于图案化掩模层的间隔之中，且位于缓冲/成核层之上，并进一步延伸至间隔之上而于图案化掩模层及图案化掩模层的间隔上形成连续层。本发明可消除可能影响三-五族化合物半导体材料的结晶成长的不利的非晶结构，增进三-五族化合物半导体层的品质。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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