一种半导体晶圆清洗后的干燥方法[发明专利]

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 107833826 A(43)申请公布日 2018.03.23

(21)申请号 201710879303.9(22)申请日 2017.09.26

(71)申请人 合肥新汇成微电子有限公司

地址 230000 安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内(72)发明人 李司元　颜维成　江富杰　(51)Int.Cl.

H01L 21/02(2006.01)

权利要求书1页 说明书2页

(54)发明名称

一种半导体晶圆清洗后的干燥方法(57)摘要

本发明公开了一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，包括以下步骤：(1)将待清洗的半导体晶圆用水制成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20％，其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给；(2)将清洗后的半导体晶圆放入干燥槽中，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥半导体晶圆。

CN 107833826 ACN 107833826 A

权　利　要　求　书

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1.一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将待清洗的半导体晶圆用水制成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20％，其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给；

(2)将清洗后的半导体晶圆放入干燥槽中，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，其特征在于：所述所述有机溶剂选自：醇类(例如甲醇，乙醇)，酮类(例如丙酮)，酯类，醚类。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，其特征在于：所述半导体晶圆干燥之前，将含氟溶液施加在半导体晶圆上，含氟溶液是包含氟化氢的水溶液。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，其特征在于：所述冷凝室与加热室之间有一条连接氮气的管道，所述氮气的另一端连接氮气气源。

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说　明　书

一种半导体晶圆清洗后的干燥方法

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技术领域

[0001]本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种半导体晶圆清洗后的干燥方法。背景技术[0002]用于干燥圆片形物体表面的干燥方法通常用于半导体行业，以在生产工艺期间(例如，前光清洗，CMP后清洗，以及等离子体后清洗)清洁半导体晶圆。然而，这种干燥方法可能适用于其它板状物体，如光碟，光掩膜，分划板，磁盘或平板显示器。当用于半导体行业时，这种干燥方法也适用于玻璃基板(例如，在绝缘体上的硅工艺中)，III-V基板(例如GaAs)，或任何其它用于生产集成电路的基板或载体。[0003]在半导体行业有几种公知的干燥方法。许多干燥方式使用已定义的液/气界面层。这种干燥方法被称为马兰葛尼(Marangoni)干燥法。

发明内容

[0004]本发明旨在提供了一种半导体晶圆清洗后的干燥方法。[0005]本发明提供如下技术方案：

[0006]一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，包括以下步骤：[0007](1)将待清洗的半导体晶圆用水制成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20％，其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给；[0008](2)将清洗后的半导体晶圆放入干燥槽中，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥半导体晶圆。[0009]所述所述有机溶剂选自：醇类(例如甲醇，乙醇)，酮类(例如丙酮)，酯类，醚类。[0010]所述半导体晶圆干燥之前，将含氟溶液施加在半导体晶圆上，含氟溶液是包含氟化氢的水溶液。

[0011]所述冷凝室与加热室之间有一条连接氮气的管道，所述氮气的另一端连接氮气气源。

[0012]与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过对半导体晶圆进行清洗后直接干燥，大大提升了干燥效率；同时用水成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，该有机溶剂在溶剂温度下供给，有效保证了清洗效率，用有机溶剂冲洗起始于在用水溶液冲洗开始之后，这意味着这两个冲洗步骤能紧接地陆续实施，这两个冲洗步骤甚至可以适时的重叠，缩短了了干燥时间。

具体实施方式

[0013]下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都

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属于本发明保护的范围。

[0014]实施例一种半导体晶圆清洗后的干燥方法，包括以下步骤：[0015](1)将待清洗的半导体晶圆用水制成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20％，其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给；[0016](2)将清洗后的半导体晶圆放入干燥槽中，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥半导体晶圆。[0017]所述所述有机溶剂选自：醇类(例如甲醇，乙醇)，酮类(例如丙酮)，酯类，醚类。[0018]所述半导体晶圆干燥之前，将含氟溶液施加在半导体晶圆上，含氟溶液是包含氟化氢的水溶液。

[0019]所述冷凝室与加热室之间有一条连接氮气的管道，所述氮气的另一端连接氮气气源。

[0020]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

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