专利名称:一种微凹坑阵列结构加工方法专利类型:发明专利
发明人:郑怀,邹精龙,李操,刘洁申请号:CN201711387452.X申请日:20171220公开号:CN1081009A公开日:20180601
摘要:本发明公开了一种微凹坑阵列结构加工方法,本发明方法能够加工获得曲线形貌微凹坑阵列结构。本发明加工方法具体包括如下步骤:步骤1,衬底上涂覆一层基体材料;步骤2,利用离子风穿过带通孔阵列的掩模作用于衬底上的基体材料,形成微凹坑阵列结构;步骤3,固化衬底上的基体材料,成型所需形貌的微凹坑阵列结构。本发明方法能够低成本的实现不同材料、形貌和尺寸参数的凹坑阵列结构加工。
申请人:武汉大学
地址:430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
国籍:CN
代理机构:武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:肖珍
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