专利名称：一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置专利类型：发明专利发明人：田鹏,高占成
申请号：CN201910009717.5申请日：20190105公开号：CN109402604A公开日：20190301
摘要：本发明涉及新材料技术领域，具体公开了一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置，包括安装底座、真空泵和壳体，壳体内部上下两端分别设有一加热板，壳体内部下端的加热板上设有碳化硅衬底，壳体外部左右两侧从上至下依次分别对称设有真空管、第二气体管和第一气体管，且真空管、第二气体管和第一气体管上均设有阀门。本发明通过阀门可以灵活控制真空管、第二气体管和第一气体管的开闭状态，进而可以根据实际的化学气相沉积条件进行实时调整，提高了操作的灵活性，解决了传统的用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置由于通气管道比较单一而降低了操作灵活性的问题，有利于提高制备的碳化硅外延片产品的质量。
申请人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
地址：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、119A、121A
国籍：CN
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