高精度 SARADC 非理想因素分析及校准方法

曹超;马瑞;朱樟明;梁宇华;叶谦

【期刊名称】《西安电子科技大学学报（自然科学版）》 【年(卷),期】2015(000)006

【摘 要】对高精度逐次逼近型模数转换器的非理想因素进行理论推导和建模分析，表明模数转换器精度主要受电容失配和低位电容阵列及耦合电容的寄生电容影响，而高位寄生电容的影响可以忽略。建立了16位逐次逼近型模数转换器的高层次模型，验证了理论分析，并通过一种全数字的后台校准技术来减小电容失配和寄生电容的影响。仿真结果表明，校准后的有效位数在15位以上的概率超过90％。 【总页数】6页(P61-65,87)

【作 者】曹超;马瑞;朱樟明;梁宇华;叶谦

【作者单位】西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071 【正文语种】中 文 【中图分类】TN431.2 【相关文献】

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