专利名称：一种高剩余极化强度的BiHoFeMnO 铁电薄膜及
其制备方法
专利类型：发明专利发明人：谈国强,耶维
申请号：CN201310714707.4申请日：20131220公开号：CN103708562A公开日：20140409
摘要：一种高剩余极化强度的BiHoFeMnO铁电薄膜及其制备方法，x=0.01～0.05，该薄膜为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，均匀性好，其剩余极化强度为78～108μC/cm，介电常数为196.2～271.8。制备方法：将硝酸铋、硝酸铁、硝酸钬和乙酸锰溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得BiHoFeMnO薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得该薄膜。本发明设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度提高BiFeO薄膜的铁电性能。
申请人：陕西科技大学
地址：710021 陕西省西安市未央区大学园1号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：陆万寿
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