专利名称：提高大功率MOS管源漏击穿的方法专利类型：发明专利发明人：缪进征,张朝阳申请号：CN200510111297.X申请日：20051208公开号：CN1979783A公开日：20070613
摘要：本发明公开了一种提高大功率MOS管源漏击穿的方法，其在现有工艺中的多晶硅回刻步骤之后增加了一个光刻和对大尺寸沟槽注入的步骤，通过单独对大尺寸沟槽注入反型的杂质，使该区域电阻率增大，从而改善该区域的源漏击穿特性。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- igat.cn 版权所有 赣ICP备2024042791号-1
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务