(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201680010808.5 (22)申请日 2016.01.29 (71)申请人 高通股份有限公司
地址 美国加利福尼亚州
(10)申请公布号 CN107251146A
(43)申请公布日 2017.10.13
(72)发明人 J·J·徐;X·李
(74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公司
代理人 李小芳
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
形成界面偶极子层的系统和方法
(57)摘要
一种形成电子设备的方法,该方法包括邻
近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层(204)形成除氧层(230)。在该介电层与该FET的基板之间有界面层(214)。该方法进一步包括通过对该除氧层、该介电层和该界面层进行退火来形成偶极子层。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2017-10-13 2017-10-13 2017-11-10
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
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