专利名称：一种用于8英寸重掺As硅单晶热场结构专利类型：实用新型专利
发明人：张学强,黄永恩,范全东,路鹏申请号：CN201420109237.9申请日：20140312公开号：CN203820915U公开日：20140910
摘要：一种用于8英寸重掺As硅单晶热场结构，其技术方案是，所述结构包括炉体，炉体内设置保温筒、加热器和石英坩埚，石英坩埚上部设有导流筒，炉体上部设有炉盖，炉盖上设有氩气进口，特别之处是，导流筒上部设置集流筒，集流筒下部外侧与导流筒上边缘内侧接触，集流筒上沿与炉盖间距H为20-30毫米。本实用新型设置集流筒后大大缩减了氩气在炉内上部的扩散空间，抑制了氩气流向外扩散的趋势，加快了氩气流的流动速度，加强了氩气流的集中度，有利于快速将炉内有害杂质随氩气流排出炉外，降低晶体有害杂质含量；设置在集流筒外围的上保温筒可以进一步增强熔体上部的保温隔热效果，增加了单晶生长界面的温度梯度，在熔体表面创造了良好的单晶生长条件。
申请人：宁晋赛美港龙电子材料有限公司
地址：055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
国籍：CN
代理机构：石家庄冀科专利商标事务所有限公司
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