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半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法[发明专利]

来源:爱go旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法专利类型:发明专利发明人:林家兴,陈麒麟申请号:CN2006100873.4申请日:20060316公开号:CN1933104A公开日:20070321

摘要:一种制造半导体元件的方法,其包括:提供基板;在该基板上形成非晶硅层;在该非晶硅层上形成保热层;图案化该保热层;以及照射该已图案化的保热层。

申请人:财团法人工业技术研究院

地址:省新竹县竹东镇中兴路四段195号

国籍:CN

代理机构:北京连和连知识产权代理有限公司

代理人:薛平

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