半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法专利类型：发明专利

发明人：张文亮,朱阳军,陆江,田晓丽,卢烁今申请号：CN201310661952.3申请日：20131206公开号：CN104701162A公开日：20150610

摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，同时还提供了PIN二极管的制作方法以及IGBT的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括提供多个半导体衬底；对需进行少子寿命控制的半导体衬底上的功能区进行少子寿命控制处理；采用键合工艺将所有半导体衬底进行键合，得到半导体器件。本发明中提供的半导体器件制作方法采用键合工艺形成半导体器件，且在键合之前，对需要进行少子寿命控制的半导体衬底进行少子寿命控制后，再通过键合工艺形成半导体器件，由于单独对半导体衬底进行少子寿命控制处理，因此相邻区域的少子寿命之间没有必然联系和影响，可以得到内部少子寿命分布突变式的半导体器件。

申请人：江苏物联网研究发展中心,中国科学院微电子研究所,江苏中科君芯科技有限公司

地址：214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：王宝筠

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