铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置[发明专利]

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专利名称：铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置专利类型：发明专利

发明人：李瑛,刘聪,王世伟,薄伟强,姚俊,朱明原,胡业旻,金红

明

申请号：CN201110365869.2申请日：20111118公开号：CN102502782A公开日：20120620

摘要：本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。

申请人：上海大学

地址：200444 上海市宝山区区上大路99号

国籍：CN

代理机构：上海上大专利事务所(普通合伙)

代理人：顾勇华

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