专利名称：蚀刻方法和蚀刻装置专利类型：发明专利
发明人：西村荣一,小嗣义,山下扶美子申请号：CN201310024535.8申请日：20130123公开号：CN103219234A公开日：20130724
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得离子能量大量分布在比产生上述第一聚合物的蚀刻产额的离子能量分布小、且为产生上述第二聚合物的蚀刻产额的离子能量分布以上的范围中，从上述高频电源向上述处理室内供给高频电力的工序；和利用上述高频电力由被导入到上述处理室内的气体生成等离子体，使用所生成的等离子体蚀刻载置于载置台的被处理体上的上述周期图案的工序。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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