专利名称：MIM电容建模方法及电容值获取方法专利类型：发明专利发明人：路向党
申请号：CN200910195613.4申请日：20090907公开号：CN102012950A公开日：20110413
摘要：一种MIM电容建模及电容值获取方法。所述MIM电容建模方法包括：在同一测试环境下，测量多个具有相同有效电容面积的MIM电容值，所述多个MIM电容所在器件的金属互连层个数不同；获得MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系；将所获得的MIM电容值与金属互连层个数变化的函数关系作为电容模型文件中描述MIM电容的其中一个参数。以所述建模方法获得的电容模型，其仿真精度相对现有技术更高。
申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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