切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法[发明专利]

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专利名称：切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方

法

专利类型：发明专利

发明人：刘丽杰,洪庆福,赵波,王元立,刘文森申请号：CN201510240967.1申请日：20150513公开号：CN105082376A公开日：20151125

摘要：切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法，本发明涉及一种切割GaAs初始晶片的方法，包括：由直径不超过6英寸的GaAs晶棒切割出厚度为240-350微米的初始晶片，所述切割采用切割机在泥浆的存在下进行，所述泥浆由粉末物质和切割油混合配置而成，其特征在于，所述泥浆的粘度为300-1500mPa·s。本发明还涉及将本发明的方法切割的GaAs初始晶片制备为GaAs晶片的方法，包括：切割GaAs初始晶片、对初始晶片倒角及对倒角后的初始晶片进行表面处理、粗抛光和精抛光，所述切割GaAs初始晶片根据本发明的切割GaAs初始晶片的方法进行。本发明的制备GaAs晶片的方法降低了晶片在切割和表面处理过程中破损的风险，提高了成品率。

申请人：北京通美晶体技术有限公司

地址：101113 北京市通州区工业开发区东二街四号

国籍：CN

代理机构：北京北翔知识产权代理有限公司

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