专利名称：用于纯化四氟化硅的方法专利类型：发明专利
发明人：维塔尔·雷万卡尔,贾米勒·伊布拉希姆申请号：CN201210380839.3申请日：20080911公开号：CN102862990A公开日：20130109
摘要：本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法，所述纯化工艺包括：将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳，以及通过低温蒸馏除去惰性化合物；本发明还提供适合从四氟化硅源气体中除去一氧化碳的催化剂和用于制备这样的催化剂的方法。
申请人：MEMC电子材料有限公司
地址：美国密苏里州
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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