具有用于降低栅极电阻的更宽的场栅极的半导体器件[发明专利]

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专利名称：具有用于降低栅极电阻的更宽的场栅极的半导体器

件

专利类型：发明专利发明人：杨海宁,陈向东申请号：CN201680076628.7申请日：20161228公开号：CN108475663A公开日：20180831

摘要：公开了具有用于降低的栅极电阻的更宽的场栅极的半导体器件。在一方面，提供了一种采用栅极的半导体器件。栅极是对应于有源半导体区域的、布置在半导体器件之上以形成晶体管的导电线。每个有源半导体区域具有对应的沟道区域。布置在每个沟道区域之上的栅极的部分是有源栅极，而未布置在沟道区域之上而是布置在场氧化物区域之上的部分是场栅极。当每个有源栅极与每个对应晶体管的源极之间的电压差超过阈值电压时，该电压差使电流在沟道区域中流动。每个场栅极的宽度比每个有源栅极的宽度宽。与具有较窄场栅极的器件相比，较大的场栅极宽度导致降低的栅极电阻。

申请人：高通股份有限公司

地址：美国加利福尼亚州

国籍：US

代理机构：北京市金杜律师事务所

代理人：王茂华

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