专利名称：晶圆级封装方法及封装结构专利类型：发明专利
发明人：罗海龙,克里夫.德劳利申请号：CN201811028263.8申请日：20180904公开号：CN110875193A公开日：20200310
摘要：一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供形成有第一芯片的器件晶圆，包括形成有第一芯片的第一正面及与第一正面相背的第一背面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，第二芯片包括形成有第一焊盘的第二正面以及与第二正面相背的第二背面，且第二正面朝向承载基板；在承载基板上形成覆盖第二芯片的第一封装层；去除承载基板；使第一正面和第二正面相对设置，采用低温熔融键合工艺实现器件晶圆和第二芯片的键合；在第一封装层内形成露出至少一个第二芯片的第一开口；形成背金层，覆盖第二芯片、第一开口底部和侧壁以及第一封装层。本发明提高封装成品率和使用性能。
申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司
地址：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
国籍：CN
代理机构：上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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