专利名称：用于辐射检测器的半导体结构以及辐射检测器专利类型：发明专利发明人：麦克尔·皮尔斯科尔申请号：CN201310052841.2申请日：20130218公开号：CN103258873A公开日：20130821
摘要：本发明涉及一种用于辐射检测器的半导体结构，具有：由第一导电型的半导体材料组成的基体(12)；半导体基体(14)，半导体基体(14)具有设置在基体(12)上的相对于基体(12)高电阻的半导体层，半导体基体是第一导电型的并且是以一定掺杂浓度电掺杂的；多个掺杂区域(13)，掺杂区域(13)埋入半导体基体(14)中并相互绝缘地构成并且是与第一导电型相反的第二导电型的，以及是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于半导体基体(14)中的掺杂浓度；至少一个另外的掺杂区域(15)，至少一个另外的掺杂区域(15)埋入半导体基体(14)中并配设给一个或多个掺杂区域(13)并且是第一导电型的，并且是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于半导体基体(14)中的掺杂浓度；以及覆盖层(10)，覆盖层设置在半导体基体(14)上并且是第二导电型的。本发明还涉及一种辐射检测器。
申请人：第一传感器股份有限公司
地址：德国柏林
国籍：DE
代理机构：北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人：申健
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