(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201910119179.5 (22)申请日 2019.02.18
(71)申请人 英鸿纳米科技股份有限公司
地址 301707 天津市武清区豆张庄乡世纪中路东侧拓展中心A座103-10(集中办公区)
(10)申请公布号 CN109957210A
(43)申请公布日 2019.07.02
(72)发明人 崔建中 (74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
一种纳米级电子芯片封装材料
(57)摘要
本发明提供了一种纳米级电子芯片封装材
料,本发明制备的封装材料性能优异,吸水率低、耐热性好、可靠性高、弯曲强度高,热血性能、力学性能、电学性能等达到了一个均衡的水平,满足大规模集成电路的封装材料要求;本发明包括环氧树脂7%‑30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%‑15%、促进剂0.5%‑1%、熔融硅微粉60%‑90%、脱模剂0.1%‑1%、阻燃剂1%‑5%、碳黑0.1%‑1%、3‑丙基三甲氧基硅烷0.5%‑1%、应力
吸收剂0.1%‑5%;通过将各组分按比例依次放入高速混合机中混合、塑炼机中混炼,使各组分之间能够充分分散并彼此发生作用,制备方法简单易控,有效降低了生产成本。
法律状态
法律状态公告日
2019-07-02 2019-07-02 2019-07-26
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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