一种光刻工艺的曝光后烘烤方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510514465.3 （22）申请日 2015.08.20

（71）申请人上海华力微电子有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN105093863A

（43）申请公布日 2015.11.25

（72）发明人杨正凯;毛智彪;张瑜

（74）专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人吴世华

（51）Int.CI

G03F7/40;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种光刻工艺的曝光后烘烤方法

（57）摘要

本发明公开了一种光刻工艺的曝光后烘烤

方法，通过设置至少两个阶段的曝光后烘烤，采用不同的烘烤温度以及烘烤时间，以调整不同阶段的光酸反应速度以及图形尺寸形成的速度。在提高烘烤温度时，可加快光酸反应速度，图像尺寸形成速度同时加快，同时曝光能量降低；在降低烘烤温度时，可降低光酸反应速度，图像尺寸形成速度减缓，同时曝光能量升高。本发明可根

据实际需要设定多次烘烤阶段，通过调整不同烘烤阶段的温度以及时间，调整图形形貌，同时降低曝光能量。

法律状态

法律状态公告日

2015-11-25 2015-11-25 2015-12-23 2015-12-23 2020-07-24

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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