微机原理第六章练习题

第六章

1、6166为2K×8位的SRAM芯片，访问它时至少需要（）根地址线 A.11 B.12 C.13 D.14

2、现用2K×8位的静态RAM芯片构成8K×16位存储器，供需此种芯片（）片 A.2 B.4 C.6 D.8

3、一个静态RAM芯片的地址引脚为14根，数据引脚为4根，该芯片为（） A.8K×8 B.8K×4 C.16K×4 D.16K×8 4、存储器容量为0KB， 其含义是指（） A.0000字节 B.0×1024字节 C.0×1024字 5、除地线公用外，12根地址线可构成的地址空间为（） A.2K B.8K C.4K D.16K

D.0×1024位

6、某计算机内存的存储容量为KB，如果对存储器按16位字进行计算，则存储容量为（） A.K B.32K C.128K D.16K 7、容量为16KB的动态RAM芯片，如行列地址分时使用，至少需要（）根地址线 A.16 B.14 C.7 D.8 8、存储器容量为16MB， 其含义是指（） A.16000000字节 B.16×1024字节 C.16M bit D.16×1024×1024字节

9、现有 4K × 8 位的静态RAM 芯片，它所具有的地址线引脚数应是 ( ) 条。 A、3 B、8 C、12 D、15

10、除地线公用外，20根地址线可构成的地址空间和能构成是KB地址空间所需要的地址线是（） A.1MB、24根 B.1KB、20根 C.1MB、16根 D.4MB、16根

11、一台微型机存储器首址为0A1000H，若存储器的末址为0A2FFFH，则存储容量为( )

A.4K B.6K C.8K D.16K

12、EEPROM是指（）

A.随机读写存储器 B.一次性写入的只读存储器 C.电可擦除的只读存储器 D.可用紫外线擦除的只读存储器 13、EPROM是指（）

A.随机读写存储器 B.一次性写入的只读存储器 C.电可擦除的只读存储器 D.可用紫外线擦除的只读存储器 14、PROM是指（）

A.随机读写存储器 B.一次性写入的只读存储器 C.电可擦除的只读存储器 D.可用紫外线擦除的只读存储器

15、下列关于磁盘、光盘的概念中，不正确的是（）

A.存储介质、存储原理不一样 B.均支持树形文件目录

C.同一文件的信息都是连续存放的 D.存储位置都是由扇区等来描述 16、关于ROM的下列叙述中，错误的是（）

A. ROM是一种非易失性存储器，信息一旦写入就固定不变。 B. 掩膜ROM中的信息由生产厂家一次性直接写入 C. PROM存储的信息只能一次编程写入，不能擦除改写 D. EPROM是一种电可擦除的编程ROM

17、某CPU外部数据总线为16位，物理地址空间为1MB，欲用2114RAM（1K×4）组成KB的存储器，所需的片选信号总数应是 （）

A. B.32 C.16 D.8

18、下述关于Flash Memory，EEPROM，EPROM的说法中，不正确的是（） A. 都可在线读写 B.都能作为存放BIOS的ROM C. 擦除原理不同 D.都具有非易失性 19、关于ROM的下列说法中，不正确的是（） A .计算机中可以没有ROM

B. EPROM与EEROM的原理是不一样的 C. PROM只能编程一次 D. 电子盘常使用EEPROM

20、某动态RAM芯片只有地址线，因此可以推断其存储容量不超过（） A. 512个存储单元 B. 65536个存储单元 C. 8192个存储单元 D. 256个存储单元 21、关于存储器和CPU 的连接，下列说法中不正确的是（） A. CPU的地址线位数决定了存储器物理空间的大小 B. 80X86在实模式下，能寻址的空间最大为1MB C. 相邻两地址存储单元必定在同一芯片中 D. 对存储器的寻址是按物理地址进行的

22、下列关于移动硬盘，优盘的概念中，叙述不正确的是（） A. 存储介质、存储原理各不相同 B .都可以使用USB接口

C. 目前移动硬盘存储容量小于优盘 D. 目前移动硬盘价格高于优盘

23、下列关于中断方式特点是叙述中，不正确的是（） A. 光盘和硬盘的存储原理不一样 B. 硬盘和软盘的存储介质一样

C. CD-ROM和CD-RW所使用的存储介质材料不一样 D. 光盘和硬盘都采用接触方式读写

24、存储器和CPU之间连接时，应考虑的问题包括（）

a.总线负载能力 b.时序配合 c.地址分配 d.控制信号连接 A.a,b,cB.a,b,dC.b,c,dD.a,b,c,d

25、右图中输出为0时，存储器所选中的地址范围是（） A.9000H~9FFFH B.9800H~9FFFH C.B000H~B7FFH D.B800H~BFFFH

26、右图中输出为0时，所选中的地址范围是（） A.I/O端口，3000H~37FFH B.存储器，3000H~37FFH C.I/O端口，B000H~B7FFH D.存储器，B000H~B7FFH

27、若CPU访问256K×1的DRAM芯片组成的512K×8的存储器子系统，则CPU须使用的

地址引脚数，DRAM的地址引脚数和所需的 片选信好数依次为（）

A.19,18,2 B.18,9,8 C.19,18,8 D.19,9,2 28、以下对存储器的描述中，错误的是（）

A.Flash Memory和EEPROM一样是非易失性的存储器

B.构成存储器子系统时，SRAM比DRAM需要更多的辅助器件 C.SRAM和DRAM断电后信息都会丢失 D.通常SRAM的读写速度比DRAM高

29、某CPU的数据线、地址线均为16位，先要求用16K×1的DRAM芯片组成K×16的存储器，则用于片选译码的地址位数和所需 的DRAM芯片数分别为（）

A.4,32 B.2, C.1, D.2,32

30、有关存储器寻址的下列叙述中，正确的是（）

A.物理地址与逻辑地址一一对应 B.DS、CS都由用户程序赋初值 C.存取数据时有默认的段,有时段是可超越的 D.CS、DS、ES、SS不允许为同一值 31、下列关于外存的概念中，不正确的是（） A.从存储器的层次结构看，外存离CPU最远 B.外存通常经局部总线与主存交换信息

C.由CPU中的存储器管理部件管理内存和外存 D.外存的信息必须调入内存才能处理

32、下列叙述中，正确的是（）

A.动态RAM中的信息断电后会丢失，静态RAM中的信息断电后不会丢失；静态RAM芯片的集成度比动态RAM芯片低

B.动态RAM和静态RAM中的信息断电后都会丢失 C.EEPROM是一种新的EPROM产品，其擦除原理相同 D.个人计算机中，可以不用ROM，但不能没有RAM 33、若某RAM芯片的地址线A0与地短路，则（）

A.该芯片不能读写数据 B.会烧坏芯片 C.只能读写偶地址单元 D.只能读写奇地址单元

34、用1K×4的存储器芯片组成16K×8的存储器子系统时，需用地址线总数最少为（） A.16 B.12 C.14 D.20

35、某同学在做实验时，按右图所示连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为3000H~37FFH。试问该芯片的段应连到74LS138 的（）

A. B. C. D.

36、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来（）

A. 存放数据 B.存放程序 C.存放数据和程序 D.存放微程序 37、同动态MOS存储器比较，双极型半导体存储器的性能是（） A.集成度低，存取周期快，位平均功耗大 B.集成度低，存取周期慢，位平均功耗小 C.集成度高，存取周期快，位平均功耗小 D.集成度高，存取周期慢，位平均功耗大

38、某计算机字长32位，存储容量是8MB，若按双字编址，那么它的寻址范围是（） A.0~256K B.0~512K C. 0~1M D.0~2M

39、同外存储器相比，内存储器的特点是（）

A.容量大、速度快、成本低 B.容量大、速度慢、成本高 C.容量小、速度快、成本高 D.容量小、速度快、成本低

40、采用虚拟存储器的主要目的是（）

A.提高主存储器的存取速度 B.扩大主存器的存储空间，并能进行自动管理和调度 C.提高外存储器的存取速度 D.扩大外存储器的存储空间 41、动态RAM的特点是（）

A.工作中的内容动态的变化 B.工作中需要访问动态地址改变访存地址 C.每隔一定时间刷新一遍 D.每次读出后需要根据原存内容全部刷新一边 42、半导体SRAM的存储原理是（）

A.依靠双稳态触发电路 B.依靠定时刷新 C.依靠读后再生 D.信息不再变化 43、在CPU和存储器之间增加Cache的目的是（）

A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B.扩大主存储器的容量

C.扩大CPU中通用存储器的数量 D.既扩大主存储容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量

44、一个EPROM芯片，容量为32K×8，除电源和地外，引脚数至少为（） A.16 B.24 C.26 D.30

45、一个SRAM芯片，有14条地址线和数据线，问该芯片最多能存储ASCII码字符的个数为（）

A.16384 B.32768 C.256 D.14